**1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介：**

BSZ040N04LS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封裝為 DFN8(3x3)。采用 Trench 技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力，適合用于高效能和高功率密度的電子應(yīng)用。

**2. 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：**

- **封裝**: DFN8(3x3)
- **配置**: 單極性 N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 40V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ（在 VGS=4.5V 時(shí)）
 - 4.5mΩ（在 VGS=10V 時(shí)）
- **漏極電流 (ID)**: 40A
- **技術(shù)**: Trench

**3. 應(yīng)用領(lǐng)域舉例：**

BSZ040N04LS G-VB 適用于高效能電源管理和功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用，如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、高功率 LED 驅(qū)動(dòng)電路和電源開(kāi)關(guān)。其超低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在要求高效率和高功率密度的場(chǎng)景中表現(xiàn)出色，特別適合于需要高開(kāi)關(guān)速度和低功率損耗的應(yīng)用。