**產品簡介：**
BSZ050N03LS G-VB 是一款高效能 N-Channel MOSFET，封裝為 DFN8(3x3)，專為中低電壓高電流應用設計。該 MOSFET 的 VDS（漏極-源極最大電壓）為 30V，最大柵源極電壓 VGS 為 ±20V，漏極電流 ID 達到 60A。其導通電阻 RDS(ON) 為 5mΩ（在 VGS=4.5V 時）和 3.9mΩ（在 VGS=10V 時），采用溝槽型工藝技術，適合用于高電流開關應用，具有出色的開關性能和熱管理能力。

**詳細參數說明：**
- **封裝**: DFN8(3x3)
- **類型**: 單極性 N-Channel MOSFET
- **漏源極電壓（VDS）**: 30V
- **柵源極電壓（VGS）**: ±20V
- **閾值電壓（Vth）**: 1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）**: 5mΩ @ VGS = 4.5V；3.9mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**: 60A
- **技術**: 溝槽型工藝

**應用領域和模塊示例：**
1. **電源開關**：在高電流電源開關應用中，BSZ050N03LS G-VB 的低 RDS(ON) 和高電流承受能力使其成為高效能電源開關的理想選擇，適用于電源模塊和功率轉換器。
2. **電動汽車**：適合用于電動汽車的電池管理系統和電機驅動模塊中，其高電流能力可以滿足電動汽車中對開關器件的嚴格要求。
3. **工業控制**：在工業設備中，BSZ050N03LS G-VB 可用于負載開關和電機驅動，提供高效的開關控制，確保設備的穩定運行。