### 產品簡介
BSZ058N03LS G-VB 是一款高性能單通道 N 溝道 MOSFET，封裝為 DFN8(3x3)，專為高電流和高效率開關應用設計。其具有 30V 的漏極-源極耐壓、±20V 的柵極-源極耐壓和 1.7V 的柵極閾值電壓。在 4.5V 的柵極驅動電壓下，該 MOSFET 的導通電阻為 5mΩ，在 10V 的柵極驅動電壓下為 3.9mΩ。最大漏極電流為 60A，采用 Trench 技術，提供優異的開關性能和低導通電阻。

### 參數說明
- **型號**: BSZ058N03LS G-VB
- **封裝**: DFN8(3x3)
- **配置**: 單通道 N 溝道 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 5mΩ @ VGS = 4.5V
 - 3.9mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 60A
- **技術**: Trench 技術

### 應用領域
BSZ058N03LS G-VB 適用于以下領域和模塊：
- **電源管理**: 在電源轉換器和開關電源中作為開關元件，實現高效的電源轉換和負載管理。
- **電池管理**: 在電池管理系統中作為高電流開關，確保電池的安全和高效使用。
- **工業控制**: 在高電流工業設備中提供穩定的開關控制，適用于電動機驅動和負載開關。
- **汽車電子**: 用于汽車電源管理系統中的高電流負載控制，如電動座椅、車燈等，提升系統可靠性和效率。