### 產品簡介

**BSZ058N03MS G-VB** 是一款高效單 N-Channel MOSFET，封裝形式為 DFN8(3x3)。采用 Trench 技術，該 MOSFET 設計用于高電流、高效率的開關應用，能夠在較低的導通電阻下處理較高的電流負載。其優異的性能和緊湊的封裝使其適合于各種高效能的電子設備和系統中。

### 詳細參數說明

- **封裝**: DFN8(3x3)
- **配置**: 單 N-Channel
- **漏源電壓 (V_DS)**: 30V
- **柵源電壓 (V_GS)**: ±20V
- **閾值電壓 (V_th)**: 1.7V
- **導通電阻 (R_DS(on))**:
 - 5mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 3.9mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏電流 (I_D)**: 60A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊

1. **高效開關電源**: BSZ058N03MS G-VB 適用于高效開關電源中，作為開關元件使用，其低導通電阻和高電流處理能力能夠提升電源效率和穩定性。

2. **電源管理系統**: 在電源管理系統中，該 MOSFET 可以用于高電流開關和調節，適合用于電源調節和功率分配模塊，確保系統高效運行。

3. **電機驅動**: 適用于電機控制電路中，能夠處理較高的電流負載，提供高效的電機驅動和控制性能。

4. **汽車電子**: 由于其高電流和低導通電阻特性，此 MOSFET 也適用于汽車電子系統中，如電源管理和高功率開關應用，確保系統的可靠性和穩定性。