### 產品簡介

BSZ067N06LS3 G-VB是一款高效能單管N溝道MOSFET，封裝形式為DFN8(3X3)。該MOSFET支持60V的漏極-源極耐壓和±20V的柵極-源極耐壓，門檻電壓為3V。它采用Trench技術制造，具備極低的導通電阻，適合用于高電流和高效能的開關應用。

### 參數說明

- **型號**: BSZ067N06LS3 G-VB
- **封裝**: DFN8(3X3)
- **配置**: 單管N溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 60V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **門檻電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 10V柵極驅動下: 5mΩ
- **漏極電流 (ID)**: 30A
- **技術**: Trench技術

### 應用領域

BSZ067N06LS3 G-VB適用于以下領域和模塊：

1. **電源管理**: 適用于電源管理系統中的開關控制，特別是在高電流應用中，如DC-DC轉換器和電源模塊。
2. **功率放大器**: 在功率放大器中作為開關元件，用于高效能的電源切換，確保高效能和低損耗。
3. **電動汽車**: 適合用于電動汽車的電池管理系統和電機驅動系統，提供可靠的高電流開關控制。
4. **高效能開關電路**: 在需要高電流和低導通電阻的應用中，如服務器電源和大功率電源模塊中，用于提高系統效率和性能。

該MOSFET的低導通電阻和高電流承載能力使其在要求高效能和高可靠性的開關應用中表現出色。