### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**型號(hào)**: BSZ076N06NS3 G-VB  
**封裝**: DFN8 (3x3)  
**配置**: 單N溝道MOSFET  
**技術(shù)**: 溝槽型技術(shù)

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **VDS**: 60V (漏源極電壓)
- **VGS**: ±20V (柵源極電壓)
- **Vth**: 3V (柵源極閾值電壓)
- **RDS(ON)**: 
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **ID**: 30A (漏極電流)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **電源管理**: 適用于高電壓DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源開(kāi)關(guān)，提供低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力。
2. **汽車(chē)電子**: 用于汽車(chē)電源系統(tǒng)中的高功率開(kāi)關(guān)和負(fù)載控制，提高系統(tǒng)的效率和可靠性。
3. **工業(yè)設(shè)備**: 在工業(yè)控制系統(tǒng)中應(yīng)用，處理高電流和高電壓負(fù)載，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。
4. **數(shù)據(jù)中心**: 適合數(shù)據(jù)中心的電源管理模塊，優(yōu)化高功率負(fù)載的能源使用和熱管理。