### BSZ240N12NS3 G-VB MOSFET 產品簡介

#### 1. 產品簡介

BSZ240N12NS3 G-VB 是英飛凌公司推出的一款高性能單級N溝道MOSFET，專為高電壓和高電流應用設計。該MOSFET具有100V的漏源電壓（VDS）和±20V的柵源電壓（VGS），采用緊湊的DFN8（3x3 mm）封裝。它使用了先進的溝槽技術，具備低導通電阻和高電流處理能力，使其在各種電源開關和功率管理應用中表現優異。

#### 2. 詳細參數說明

- **封裝類型：** DFN8（3x3 mm）
- **配置：** 單級N溝道
- **漏源電壓（VDS）：** 100V
- **柵源電壓（VGS）：** ±20V
- **閾值電壓（Vth）：** 1.8V
- **導通電阻（RDS(ON)）：** 
 - 在 VGS = 10V 時：17mΩ
- **連續漏電流（ID）：** 35.5A
- **技術：** 溝槽技術

#### 3. 應用領域及模塊舉例

- **電源轉換器：** BSZ240N12NS3 G-VB 非常適合用于高壓DC-DC轉換器和電源模塊。其100V的漏源電壓和低導通電阻使其能夠高效地處理高電壓和大電流應用，從而提高電源轉換效率和穩定性，適用于高功率密度的電子設備。

- **電機驅動應用：** 在電動車或工業電機驅動系統中，BSZ240N12NS3 G-VB 可用于驅動電機控制電路。其高電流處理能力和低導通電阻確保電機的高效運行和精確控制，特別是在要求高電壓和高電流的應用場景中。

- **電池管理系統（BMS）：** 該MOSFET 是電池管理系統中的理想選擇，尤其適用于需要高電壓處理能力的電池保護電路。其穩定性和低導通電阻能夠有效地管理和保護電池組，提升系統的整體效率和安全性。

- **消費電子設備：** 在需要高電壓電源管理的消費電子設備中，例如高性能筆記本電腦和高端電子設備，BSZ240N12NS3 G-VB 可以用于電源開關和管理模塊。其緊湊的DFN8封裝和高性能使其適合用于高集成度的電子產品中。

- **可再生能源系統：** 在太陽能逆變器和風力發電系統中，BSZ240N12NS3 G-VB 適用于高電壓功率開關應用。其高電壓和高電流處理能力使其能夠在這些系統中提供可靠的性能，提高整體能源轉換效率。