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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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BSZ42DN25NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: BSZ42DN25NS3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 DFN8(3X3)
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、BSZ42DN25NS3 G-VB 產品簡介

BSZ42DN25NS3 G-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,采用DFN8 (3x3)封裝,利用先進的Trench技術設計。此MOSFET專為高壓應用而優化,提供了高達250V的漏源極電壓和良好的電流處理能力。它在高壓開關和電源管理系統中表現出色,特別適合需要高耐壓和高穩定性的電子應用場景。

### 二、BSZ42DN25NS3 G-VB 詳細參數說明

- **型號**: BSZ42DN25NS3 G-VB
- **封裝**: DFN8 (3x3)
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 250V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 125mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 10.3A
- **技術**: Trench

### 三、BSZ42DN25NS3 G-VB 適用領域和模塊舉例

BSZ42DN25NS3 G-VB 的高壓耐受性和穩定性使其在以下領域和模塊中表現出色:

1. **高壓電源管理系統**: 由于其高達250V的漏源極電壓,BSZ42DN25NS3 G-VB 非常適用于高壓電源管理系統,如AC-DC轉換器和高壓DC-DC轉換器。這些應用需要在高電壓條件下可靠地工作,而該MOSFET 能夠提供穩定的性能和低功耗損耗。

2. **電力開關設備**: 在電力開關設備中,該MOSFET 的高耐壓特性使其能夠承受較高的電壓負荷,適合用于電力開關和斷路器等模塊。這種高壓MOSFET 能夠確保在開關過程中穩定且安全地處理高電壓。

3. **逆變器系統**: 在太陽能逆變器和其他類型的高電壓逆變器系統中,BSZ42DN25NS3 G-VB 能夠高效地處理來自電池或太陽能板的高電壓輸出,確保逆變器系統的高效運行和長期穩定性。

4. **電力電子變換器**: 該MOSFET 也適用于電力電子變換器,尤其是那些涉及高電壓應用的變換器模塊,如電動汽車充電器和高壓直流輸電系統。其高電壓耐受性和低導通電阻能夠幫助提高系統的整體效率和可靠性。

BSZ42DN25NS3 G-VB 的高耐壓、良好的導通特性以及穩定的性能,使其在需要高電壓處理和高效率的應用中成為理想選擇。

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