### 一、BUK555-50B-VB 產(chǎn)品簡介
BUK555-50B-VB 是 NXP Semiconductors 提供的一款高性能單 N 溝道 MOSFET，封裝形式為 TO-220。這款 MOSFET 采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù)，具有 60V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS) 規(guī)格，提供了極低的導(dǎo)通電阻。具體而言，在 4.5V 的柵源電壓下，其導(dǎo)通電阻為 28mΩ，在 10V 的柵源電壓下降至 24mΩ。該 MOSFET 支持最大 50A 的連續(xù)漏極電流 (ID)，設(shè)計(jì)用于高效開關(guān)和電源管理應(yīng)用，能夠滿足高電流和低導(dǎo)通損耗的需求。
### 二、BUK555-50B-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 產(chǎn)品型號 | BUK555-50B-VB | |
| 封裝 | TO-220 | |
| 配置 | 單 N 溝道 | |
| 漏源電壓 (VDS) | 60 | V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±20 | V |
| 閾值電壓 (Vth) | 1.7 | V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 28 (VGS = 4.5V) | mΩ |
| | 24 (VGS = 10V) | mΩ |
| 柵極電流 (IG) | 100 | nA |
| 連續(xù)漏極電流 (ID) | 50 | A |
| 瞬時(shí)脈沖漏極電流 (ID(pulse)) | 150 | A |
| 最大功耗 (Ptot) | 125 | W |
| 工作溫度范圍 | -55 至 +175 | °C |
| 存儲(chǔ)溫度范圍 | -55 至 +175 | °C |
| 技術(shù) | Trench | |
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
BUK555-50B-VB MOSFET 的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其在多個(gè)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，以下是幾個(gè)應(yīng)用示例：
1. **電源管理**：該 MOSFET 可用于開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的開關(guān)環(huán)節(jié)，因其低導(dǎo)通電阻和高電流能力，可以有效減少電能損耗，提高轉(zhuǎn)換效率。
2. **電動(dòng)機(jī)控制**：在電動(dòng)汽車、家用電器及工業(yè)設(shè)備中的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，BUK555-50B-VB 能夠作為高電流開關(guān)，提供高效且可靠的電機(jī)控制。
3. **電池保護(hù)電路**：在電池管理系統(tǒng) (BMS) 中，BUK555-50B-VB 可用于過流保護(hù)和電池開關(guān)控制，確保系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。
4. **汽車電子**：該 MOSFET 在汽車電子設(shè)備中如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)和車載充電器中可以用來處理高電流負(fù)載，提供穩(wěn)定的電力供應(yīng)。
這些應(yīng)用示例展示了 BUK555-50B-VB 在需要高電流和低導(dǎo)通電阻的場景中的重要作用。
