### 產(chǎn)品簡介

**BUK652R3-40C-VB** 是一款采用 Trench 技術(shù)的單極 N 通道 MOSFET，封裝形式為 TO220。它具備高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻，專為高功率開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。這款 MOSFET 在高頻率和高電流應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異，是高效電源管理和電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的理想選擇。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**：TO220
- **配置**：單極 N 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**：40V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**：±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**：3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(on))**：
 - 15mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續(xù)漏極電流 (ID)**：180A
- **技術(shù)**：Trench 技術(shù)

### 適用領(lǐng)域與模塊舉例

**BUK652R3-40C-VB** 的高性能特性使其適用于多個領(lǐng)域和模塊，包括：

1. **高效電源管理**：由于其極低的導(dǎo)通電阻和高電流能力，該 MOSFET 非常適合用于高效的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源管理模塊，能夠顯著提高電源的轉(zhuǎn)換效率和減少功率損耗。

2. **電機(jī)驅(qū)動**：在電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中，如電動工具和電動車輛的驅(qū)動系統(tǒng)中，BUK652R3-40C-VB 的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其能有效控制電機(jī)的啟動、停止和調(diào)速，提升整體驅(qū)動系統(tǒng)的性能和可靠性。

3. **逆變器系統(tǒng)**：在太陽能逆變器或其他高功率逆變器系統(tǒng)中，該 MOSFET 能夠在高功率開關(guān)操作中提供優(yōu)良的性能，保證系統(tǒng)的高效運(yùn)行和穩(wěn)定性。

4. **高功率開關(guān)**：適用于各種高功率開關(guān)應(yīng)用，如工業(yè)電源系統(tǒng)和電力控制模塊。其高電流和低導(dǎo)通電阻特性可以有效控制和管理大電流流動，提升系統(tǒng)的整體穩(wěn)定性和效率。

綜上所述，BUK652R3-40C-VB 是一款高性能、高可靠性的 MOSFET，能夠滿足各種高功率開關(guān)和電源管理應(yīng)用的需求。