AD660 DACPORT? 是一款完整的 16 位單芯片數(shù)模轉(zhuǎn)換器，內(nèi)置一個片上基準(zhǔn)電壓源、雙緩沖鎖存器和一個輸出放大器。它采用 Analog Devices， Inc. 的 BiMOS II 工藝制造。該工藝允許在與高精度雙極線性電路相同的芯片上制造低功耗 CMOS 邏輯功能。
AD660 架構(gòu)可確保隨時間和溫度變化的 15 位單調(diào)性。積分和微分非線性度保持在最大值 ±0.003%。對于滿量程階躍，片內(nèi)輸出放大器提供 10 μs 的電壓輸出建立時間，精度在 1/2 LSB 以內(nèi)。
AD660 具有極其靈活的數(shù)字接口。數(shù)據(jù)可以串行模式或兩個 8 位字節(jié)加載到 AD660 中。這是通過兩個具有雙重功能的數(shù)字輸入引腳實現(xiàn)的。串行模式輸入格式可通過引腳選擇為 MSB 或 LSB 優(yōu)先。串行輸出引腳允許用戶通過輸入鎖存器將數(shù)據(jù)移位到下一個DAC中，從而以菊花鏈方式連接多個AD660器件，從而最大限度地減少SIN、CS和LDAC所需的控制線路數(shù)量。字節(jié)模式輸入格式也很靈活，因為可以先加載高字節(jié)或低字節(jié)數(shù)據(jù)。雙緩沖鎖存結(jié)構(gòu)消除了數(shù)據(jù)偏斜誤差，并在多 DAC 系統(tǒng)中提供了 DAC 的同步更新。 AD660 有五個等級。AN 和 BN 版本的額定溫度范圍為 ?40°C 至 +85°C，采用 24 引腳 300 mil 塑料 DIP 封裝。AR 和 BR 版本的額定溫度范圍為 ?40°C 至 +85°C，采用 24 引腳 SOIC 封裝。SQ 版本采用 24 引腳 300 mil CERDIP 封裝，也符合 MIL-STD-883 標(biāo)準(zhǔn)。有關(guān)規(guī)格和測試條件，請參閱 AD660SQ/883B 數(shù)據(jù)表。
特征
- 完整的 16 位 D/A 功能
片上輸出放大器
片上埋式齊納電壓基準(zhǔn) - ±1LSB 積分線性度
- 15 位單調(diào)性溫度
- 微處理器兼容
串行或字節(jié)輸入
雙緩沖鎖存器
快速 （40 ns） 寫入脈沖 - 異步清零（至 0 V）功能
- 串行輸出引腳有助于菊花鏈連接
- 單極或雙極輸出
- 低毛刺： 15 nV-s
- 低 THD+N：0.009%
產(chǎn)品亮點
- AD660 是一款完整的 16 位 DAC，在單芯片上集成一個基準(zhǔn)電壓源、雙緩沖鎖存器和一個輸出放大器。
- 內(nèi)部埋入式齊納基準(zhǔn)經(jīng)過激光調(diào)整至 10.000 V，最大誤差為 ±0.1%，溫度漂移性能為 ±15 ppm/°C。 該參考可用于外部應(yīng)用。
- AD660 的輸出范圍可通過引腳編程，可設(shè)置為提供 0 V 至 10 V 的單極性輸出范圍或 ?10 V 至 +10 V 的雙極性輸出范圍。無需外部元件。
- AD660 提供直流和交流兩種規(guī)格。DC 規(guī)格包括 ±1 LSB INL 和 ±1 LSB DNL 誤差。交流規(guī)格包括 0.009% THD + N 和 83 dB SNR。
- AD660 上的雙緩沖鎖存器消除了數(shù)據(jù)偏斜誤差，并允許在多 DAC 應(yīng)用中同時更新 DAC。
- 清除功能可以將輸出異步設(shè)置為 0 V，無論 DAC 是處于單極模式還是雙極模式。
- 對于滿量程階躍，輸出放大器在 10 μs 至 ±1/2 LSB 范圍內(nèi)建立，在 2.5 μs 內(nèi)建立在 1 LSB 步長內(nèi)。加載滿量程階躍時，輸出毛刺通常為 15 nV-s。
相關(guān)型號器件：
AD9709ASTZ
AD9753ASTZ
AD9751ASTZ
AD9755ASTZ
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AD9767ASTZ
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AD9914BCPZ
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AD6688BBPZ-3000
AD6655ABCPZ-125
