MA4M3100 是一款由 MACOM 生產的 MNS（金屬氮化物硅）微波芯片電容器，專為高可靠性和可重復性能的微波電路應用而設計。
### 技術參數
- **電容值**：100 pF。
- **額定電壓**：50 V。
- **芯片樣式**：358。
- **工作溫度范圍**：-55°C 至 +200°C。
- **溫度系數**：約 180 ppm/°C。
- **插入損耗**：低損耗，適用于微波電路。
- **封裝類型**：非標準芯片封裝。
### 特性
- **高重復性**：晶圓間和批次間具有良好的重復性。
- **小尺寸**：采用低壓化學氣相沉積（LPCVD）技術，形成致密均勻的氮化物層，單位面積電容更高，芯片尺寸更小。
- **低損耗、高 Q 值**：適用于微波電路。
- **多種鍵合墊形狀**：提供方形鍵合墊。
### 應用場景
MA4M3100 適用于 Ku 波段及以上的混合微波電路，主要關注低損耗、高可靠性、小尺寸和溫度穩定性。其典型應用包括：
- **直流阻斷**。
- **耦合電容**。
- **旁路電容**。
- **振蕩器、倍頻器和濾波器中的電容負載和調諧元件**。
