描述
WSGPA01 是一款 GaN on SiC 分立通用放大器 (GPA)，設計用于高達 5 GHz 的應用。該器件在高達 50 V 的電源電壓下工作，可實現 10 W 的 P3dB。它采用 3 mm X 4 mm DFN 封裝。雖然它專為具有降低波峰因數和數字預失真 LTE 或 5G NR 信號的通信基礎設施應用而設計；它可能適用于頻率高達 5 GHz 的其他應用；僅受其最大工作條件的限制。
特征
GaN on SiC HEMT 技術
工作頻率：高達 5 GHz
P3dB：高達 10 W
電源電壓：高達 50 V
無鉛且符合 RoHS 標準
應用
多標準蜂窩功率放大器
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