United Monolithic Semiconductors 的 CHK015A-QIA 是一款射頻晶體管，頻率 DC 至 6 GHz，功率 41.76 dBm，功率（W）15 W，飽和功率 15 至 20 W，增益 18 至 20 dB。標(biāo)簽：表面貼裝。有關(guān) CHK015A-QIA 的更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參見下文。
Amcad 在 UMS 零件上進(jìn)行演示
在 EUMW，請(qǐng)參閱有關(guān) UMS 零件的 Amcad 系統(tǒng)現(xiàn)場(chǎng)演示。
在 EuMW（9 月 8 日至 10 日在巴黎）期間，為射頻和微波 IC 市場(chǎng)提供測(cè)試和建模的先進(jìn)解決方案和工具的提供商 Amcad 將使用我們的 CHK015A-QIA 功率 GaN 產(chǎn)品進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)演示其測(cè)量系統(tǒng)與其他 GH50 和 GH25 設(shè)備一樣。演示將包括以下演示：
- 脈沖模式下的 IV 和 S 參數(shù)，
- 負(fù)載拉力測(cè)量，
- Pulse IV 系統(tǒng)與 Microsan JNT210 熱反射系統(tǒng)相結(jié)合
CHK015A 器件是 UMS 大功率 GaN 15W 封裝晶體管：
- 大功率：>15W
- 高漏極效率：高達(dá) 70%
- 高達(dá) 6GHz 頻率的寬帶能力
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號(hào)
CHK015A-QIA
制造商
聯(lián)合單片半導(dǎo)體
描述
DC 至 6 GHz 低噪聲 GaN on SiC HEMT
一般參數(shù)
晶體管類型
HEMT
技術(shù)
碳化硅上氮化鎵、氮化鎵
應(yīng)用行業(yè)
雷達(dá)、無線基礎(chǔ)設(shè)施
連續(xù)波/脈沖
脈沖，連續(xù)波
頻率
直流至 6 GHz
力量
41.76 分貝
功率(W)
15 瓦
飽和功率
15 至 20 瓦
獲得
18 至 20 分貝
功率附加效率
0.6
電源電壓
50 伏
漏柵電壓
180 伏
擊穿電壓 - 漏源
50 伏
電壓 - 柵源 (Vgs)
-1.9 伏
漏電流
0.65 安
靜態(tài)漏極電流
0.1 至 0.35 A
柵極漏電流 (Ig)
-0.8 毫安
結(jié)溫 (Tj)
200攝氏度
熱阻
6 度 C/W
包裝類型
表面貼裝
RoHS
是的
貯存溫度
-55 至 150 攝氏度
筆記
柵極電流正向模式：0 至 24 mA，Pich Off 電壓：-3 至 -1 V，飽和漏極電流：2.7 A
CHA2098b99F
CHA6105-99F
CHA4107-QDG
CHA3656-QAG
CHA2157-99F
CHA5050-QDG
CHA2063a99F
CHA2190-99F
CHA3666-SNF
CHA2066-99F
CHA3666-QAG
CHA7114-99F
CHA2091-99F
CHA8100-99F
CHA2097a99F
CHA2069-QDG
CHA3688aQDG
CHA2193-99F
CHA4107-99F
CHA2292-99F
CHA2266-99F
CHA7115-99F
CHA2090-99F
CHA2293-99F
CHA2066-QAG
CHA2394-99F
CHA4105-99F
CHA2094b99F
CHA3801-QDG
CHA5115-99F
CHA3063-99F
CHA2092b99F
CHA3801-99F
CHA3666-99F
CHA3665-QAG
CHP3015-QDG
CHP4010-99F
CHP1102-QGG
CHR1080a98F
CHC6053-QQA
CHU2277-99F
CHX1162-QDG
CHX1191-98F
CHX2090-QDG
