United Monolithic Semiconductors 的 EC2612-99F 是一款射頻晶體管，頻率 DC 至 40 GHz，功率 24.47 dBm，功率 (W) 0.28 W，增益 8 至 14 dB，噪聲系數(shù) 1.5 至 1.9 dB。標(biāo)簽：模具，芯片。EC2612-99F 的更多細(xì)節(jié)可以在下面看到。
利用 UMS EC2612 晶體管發(fā)揮 GaAs 的優(yōu)勢(shì)
EC2612-99F 是一款理想的小型晶體管，適用于低噪聲應(yīng)用和/或切換到非常高的頻率。
EC2 612-99F是一款非常小的高頻晶體管，在直流到毫米波頻率范圍內(nèi)具有非常高的增益和非常低的噪聲系數(shù)。
0.8dB 噪聲系數(shù)和 12dB 相關(guān)增益在 18GHz 或 1.5dB 噪聲系數(shù)和 9.5dB 相關(guān)增益在 40GHz 是典型的品質(zhì)因數(shù)。
這種 GaAs 0.15μm pHEMT 晶體管，當(dāng)用于非常低的噪聲放大時(shí)，通常偏置在 2 到 3 伏特，也可以用作具有極低寄生和非常寬帶能力的源極接地理想開關(guān)，典型的夾斷電壓是 - 0.7伏。
這種小巧緊湊的 GaAs 晶體管非常適合許多需要高性能低噪聲放大和將小信號(hào)切換到非常高頻率的毫米波應(yīng)用。
2021 年 10 月 26 日 - 產(chǎn)品
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號(hào)
EC2612-99F
制造商
聯(lián)合單片半導(dǎo)體
描述
DC 至 40 GHz 低噪聲 GaN on SiC pHEMT
一般參數(shù)
晶體管類型
pHEMT
技術(shù)
GaN on SiC、GaAs、GaN
應(yīng)用行業(yè)
雷達(dá)、無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施
連續(xù)波/脈沖
連續(xù)波
頻率
直流至 40 GHz
力量
24.47 分貝
功率(W)
0.28 瓦
獲得
8 到 14 分貝
噪聲系數(shù)
1.5 至 1.9 分貝
跨導(dǎo)
50 至 70 毫秒
電源電壓
3伏
擊穿電壓 - 漏源
3.5V
電壓 - 柵源 (Vgs)
-2.5 伏
柵極漏電流 (Ig)
0.005 毫安
包裝類型
模具，芯片
RoHS
是的
工作溫度
175攝氏度
貯存溫度
-55 至 175 攝氏度
筆記
Pich Off 電壓：-1 至 -0.3 V，飽和漏極電流：10 至 60 mA
CHX2092a99F
CHX1191-QDG
CHX2095a99F
CHX2091-99F
CHX2090-99F
CHX2089-99F
CHX2193-99F
CHU3377-98F
CHX1094-99F
CHX3068-QDG
CHU2277a98F
CHX2192-99F
CHC3014-99F
CHC2442-QPG
CHT4660-FAB
CHT4690-FAA
CHT4699-QDG
CHT3029-QEG
CHT4016-QEG
CHT4012a98F
CHE1270a98F
CHE1270-QAG
CHE1270a99F
CHE1260
CHE1260-QAG
CHE1270a98F
CHE1270-QAG
CHE1270a99
CHT4694-QAG
CHT4660-QAG
CHT4694-99F
CHT4690-99F
CHT3091aQAG
CHT3091a99F
CHT4690-QAG
CHM1080-98F
CHR3394-QEG
CHR2296-99F
CHM1298-99F
CHR2299-99F
CHR3662-QDG
CHR3693-QDG
CHR2297-98F
CHR2391-99F
