United Monolithic Semiconductors 的 EC2612-99F 是一款射頻晶體管，頻率 DC 至 40 GHz，功率 24.47 dBm，功率 (W) 0.28 W，增益 8 至 14 dB，噪聲系數 1.5 至 1.9 dB。標簽：模具，芯片。EC2612-99F 的更多細節可以在下面看到。
利用 UMS EC2612 晶體管發揮 GaAs 的優勢
EC2612-99F 是一款理想的小型晶體管，適用于低噪聲應用和/或切換到非常高的頻率。
EC2 612-99F是一款非常小的高頻晶體管，在直流到毫米波頻率范圍內具有非常高的增益和非常低的噪聲系數。
0.8dB 噪聲系數和 12dB 相關增益在 18GHz 或 1.5dB 噪聲系數和 9.5dB 相關增益在 40GHz 是典型的品質因數。
這種 GaAs 0.15μm pHEMT 晶體管，當用于非常低的噪聲放大時，通常偏置在 2 到 3 伏特，也可以用作具有極低寄生和非常寬帶能力的源極接地理想開關，典型的夾斷電壓是 - 0.7伏。
這種小巧緊湊的 GaAs 晶體管非常適合許多需要高性能低噪聲放大和將小信號切換到非常高頻率的毫米波應用。
2021 年 10 月 26 日 - 產品
產品規格
產品詳情
零件號
EC2612-99F
制造商
聯合單片半導體
描述
DC 至 40 GHz 低噪聲 GaN on SiC pHEMT
一般參數
晶體管類型
pHEMT
技術
GaN on SiC、GaAs、GaN
應用行業
雷達、無線基礎設施
連續波/脈沖
連續波
頻率
直流至 40 GHz
力量
24.47 分貝
功率(W)
0.28 瓦
獲得
8 到 14 分貝
噪聲系數
1.5 至 1.9 分貝
跨導
50 至 70 毫秒
電源電壓
3伏
擊穿電壓 - 漏源
3.5V
電壓 - 柵源 (Vgs)
-2.5 伏
柵極漏電流 (Ig)
0.005 毫安
包裝類型
模具，芯片
RoHS
是的
工作溫度
175攝氏度
貯存溫度
-55 至 175 攝氏度
筆記
Pich Off 電壓：-1 至 -0.3 V，飽和漏極電流：10 至 60 mA
CHX2092a99F
CHX1191-QDG
CHX2095a99F
CHX2091-99F
CHX2090-99F
CHX2089-99F
CHX2193-99F
CHU3377-98F
CHX1094-99F
CHX3068-QDG
CHU2277a98F
CHX2192-99F
CHC3014-99F
CHC2442-QPG
CHT4660-FAB
CHT4690-FAA
CHT4699-QDG
CHT3029-QEG
CHT4016-QEG
CHT4012a98F
CHE1270a98F
CHE1270-QAG
CHE1270a99F
CHE1260
CHE1260-QAG
CHE1270a98F
CHE1270-QAG
CHE1270a99
CHT4694-QAG
CHT4660-QAG
CHT4694-99F
CHT4690-99F
CHT3091aQAG
CHT3091a99F
CHT4690-QAG
CHM1080-98F
CHR3394-QEG
CHR2296-99F
CHM1298-99F
CHR2299-99F
CHR3662-QDG
CHR3693-QDG
CHR2297-98F
CHR2391-99F
