UMS 的 CHK8013-99F 是一款 GaN 功率晶體管，可在 DC 至 10 GHz 的脈沖和 CW 工作模式下工作。它提供 14 瓦的飽和輸出功率和 17 dB 的小信號增益，并具有 70% 的 PAE。該器件需要 30 V 的電源電壓。它是在 SiC 襯底上使用 0.25μm 柵極長度的 GaN HEMT 技術制造的，并且需要外部匹配電路。這種高電子遷移率晶體管可用作尺寸為 0.9 x 1.2 x 0.1 mm 的芯片，非常適合雷達和電信等各種射頻功率應用。
新型 GaN 最先進晶體管：CHK8013-99F
CHK8013-99F 是一種新型 GaN 寬帶能力晶體管，覆蓋 DC 至 10GHz
它具有 14W 的功率和 70% 的非常好的 PAE。
它可實現高達 17dB 的增益和低至 180mA @30V 的消耗。
設計人員可以在脈沖和操作模式下使用 CHK8013-99F。本產品需要外部匹配電路。
該電路采用內部 GaN 0.25μm Hemt 工藝設計。
這種通用晶體管適用于廣泛的射頻功率應用，例如雷達和電信。
主要特點：
- 射頻帶寬：高達 10GHz
- 帕薩特：14W
- PAE：70% @Psat
- 直流偏置：Vd 高達 30V
- 脈沖和操作模式
產品規格
產品詳情
零件號
CHK8013-99F
制造商
聯合單片半導體
描述
從 DC 到 10 GHz 的 14 W GaN 功率晶體管
一般參數
晶體管類型
HEMT
技術
碳化硅上氮化鎵、氮化鎵
應用行業
雷達，蜂窩
連續波/脈沖
連續波，脈沖
頻率
直流至 10 GHz
力量
41.46 分貝
功率(W)
14 W（飽和）
小信號增益
17分貝
功率附加效率
70%
電源電壓
30 伏
電壓 - 柵源 (Vgs)
-3.3 伏
漏電流
0.9 安
柵極漏電流 (Ig)
-0.7 毫安
結溫 (Tj)
200攝氏度
包裝類型
死
方面
0.9 x 1.2 x 0.1 毫米
RoHS
是的
貯存溫度
-55 至 150 攝氏度
CHA4220-QGG
CHA3024-QGG
CHA3024-99F
CHA5659-QXG
CHA3666-FAA
CHA4220-98F
CHA6356-QXG
CHA6252-QFG
CHA6558-99F
CHA5356-QGG
CHA6005-99F
CHA6005-QEG
CHA6362-QXG
CHA6552-QJG
CHA8012-99F
CHA3513-99F
CHA6250-QFG
CHA3514-99F
CHA3512-99F
CHA3511-99F
CHA6015-99F
CHA5012-99F
CHA3092-99F
CHA3218-99F
CHA7012-99F
CHA2494-98F
CHA2395-99F
CHA2494-QEG
CHA1077a98F
CHA2391-99F
CHA2411-QDG
CHA4105-QDG
CHA2095a99F
CHA5014-99F
CHA3689-99F
CHA4863-QGG
CHA3664-QAG
CHA2069-99F
CHA5115-QDG
CHA3023-99F
CHA2159-99F
CHA7215-99F
CHA2093-99F
CHA2194-99F
