United Monolithic Semiconductors 的 CHA6710-FAB 是一款 X 波段兩級功率放大器，工作頻率為 8 至 12.75 GHz。它提供 5 W 的飽和輸出功率，增益為 22.5 dB，功率附加效率為 35%。該放大器可以處理高達 30 dBm 的峰值輸入功率。
該電路采用 GaN pHEMT 工藝、0.25μm 柵極長度、穿過襯底的通孔、空氣橋和電子束柵極光刻技術制造。它采用符合 RoHS 的表面貼裝密封金屬陶瓷封裝，尺寸為 6 x 6 mm，適用于國防和空間通信系統等應用。
CHA6710-FAB，一種采用密封封裝的新型 GaN 5W MPA
UMS 正在開發其用于空間應用的產品系列。新型 CHA6710-FAB 是一款基于 GaN 的 5W X 波段（8 至 12.75GHz）中等功率放大器，采用密封金屬陶瓷封裝。
它具有 35% 的功率附加效率和 22.5dB 的線性增益。
該電路是在 UMS 專有空間評估的 0.25μm GaN HEMT 工藝上設計的。
CHA6710-FAB 推薦用于 X 波段雷達和空間 Ku 波段通信系統等應用。
該產品也可以作為裸片 (CHA6710-99F) 提供。
產品特點：
- 頻率范圍：8-12.75GHz
- 線性增益：22.5dB
- 飽和輸出功率：5W
- 相關電源附加效率：35%
- 直流偏壓：25V@0.2A
- 6x6mm 2密封金屬陶瓷封裝
產品規格
產品詳情
零件號
CHA6710-FAB
制造商
聯合單片半導體
描述
8 至 12.75 GHz 的 5 W X 波段 GaN 功率放大器
一般參數
類型
功率放大器
配置
IC/MMIC/SMT
行業應用
雷達、空間
頻率
8 至 12.75 GHz
獲得
22 至 23.5 dB（線性）
輸出功率
36.53 至 37 dBm
輸出功率
4.5 至 5 瓦
輸入功率
23分貝
輸入功率
0.2 瓦
PAE
33 至 35 %
脈沖/CW
連續波
脈沖寬度
25 美元
占空比
10%
子類別
氮化鎵放大器
回波損耗
10分貝
電源電壓
25 至 30 伏
靜態電流
200毫安
晶體管技術
GaN pHEMT
包裝類型
表面貼裝
包裹
無鉛密封金屬陶瓷封裝
方面
6 x 6 毫米
貯存溫度
-55 至 150 攝氏度
CHR3894-98F
CHR3764-QEG
CHR3694-QDG
CHR2293-99F
CHR3861-QEG
CHR3352-QEG
CHR3362-QEG
CHR3894-QEG
CHR2291-99F
CHR3693-99F
CHR3364-QEG
CHR3663-QEG
CHM2179b98F
CHM1291-99F
CHM2378a99F
CHM1294-99F
CHM1290-99F
CHR2294-99F
CHR2295-99F
CHR3664-QEG
CHR2292-99F
CHR2411-QDG
CHS8618-99F
CHS7012-99F
CHS5104-99F
CHS2412-QDG
CHS5104-QAG
CHS2411-QDG
CHS5100-99F
CHS5105-QAG
CHK8101-SYC
CHK8101a99F
CHK015AaQIA
CHZ9012-QFA
CHZ180AaSEB
CHK8013-99F
CHKA011aSXA
CHK8015-99F
CHZ015A-QEG
EC2612-99F
CHK015A-QIA
CHK9014-99F
CHZ180A-SEB
CHK9013-99F
CHK025A-SOA
CHV2243a99F
