Sumitomo Electric Device Innovations 的 FLK017XP 是一款射頻晶體管，頻率 14.5 GHz，功率 19.5 至 20.5 dBm，功率 (W) 0.09 至 0.11 W，P1dB 19.5 至 20.5 dBm，功率增益 (Gp) 7 至 8 dB。標簽： 芯片。FLK017XP 的更多細節可以在下面看到。
| 零件號 | FLK017XP |
|---|---|
| 功能 | GaAs FET 和 HEMT 芯片 |
| 特征 |
|
| 描述 | FLK017XP 芯片是一種功率 GaAs FET，專為 Ku 波段頻率范圍內的通用應用而設計，因為它提供了卓越的功率、增益和效率。住友電工嚴格的質量保證計劃可確保最高的可靠性和始終如一的性能。 |
| 1dB 壓縮功率 P1dB (dBm) | 20.5 |
|---|---|
| 1dB 壓縮增益 G1dB (dB) | 8 |
| 頻率 f (GHz) | 14.5 |
| 功率附加效率 η add (%) | 26 |
| 漏極電壓 VDS (V) | 10 |
| 漏極電流 lDS (mA) | 36 |
| 應用 | Ku波段放大器 |
| 筆記 | Tc(op)=+25°C PHS ]（鍍層散熱片） |
產品規格
產品詳情
零件號
FLK017XP
制造商
住友電工設備創新
描述
14.5 GHz，增益 GaAs FET
一般參數
晶體管類型
場效應管
技術
砷化鎵
申請類型
古樂隊
頻率
14.5GHz
力量
19.5 至 20.5 dBm
功率(W)
0.09 至 0.11 瓦
P1dB
19.5 至 20.5 dBm
功率增益 (Gp)
7 到 8 分貝
功率附加效率
0.26
噪聲系數
2.5分貝
電壓 - 柵源 (Vgs)
-5 伏
漏電流
60 至 90 毫安
熱阻
65 至 130 攝氏度
包裝類型
芯片
RoHS
是的
貯存溫度
-65 至 175 攝氏度
筆記
夾斷電壓：-3.5 至 -1 V，通道溫度：175 攝氏度
FLM1314-3F
FLM1011-15F
FLM1011-4F
FLM1011-12F
FLM1213-8F
FLM0910-8F
FLM0910-25F
FLM0910-12F
FLM7785-12F
FLM8596-4F
FLM7185-6F
FLM7785-45F
ELM7785-35F
ELM7785-16F
FLM8596-8F
ELM7785-60F
FLM7785-6F
FLM7785-4F
FLM8596-15F
FLM7785-18F
FLM7785-8F
ELM7785-10F
FLM7185-12F
FLM7179-18F
FLM8596-12F
FLM6472-4F
FLM5972-4F
FLM6472-18F
ELM7179-16F
ELM7179-10F
FLM7179-4F
ELM6472-16F
FLM5972-8F
ELM6472-10F
FLM7179-6F
FLM6472-25F
FLM7179-12F
FLM6472-6F
FLM5972-12F
FLM7179-8F
FLM6472-12F
FLM6472-8F
FLM5964-18F/001
FLM5359-45F
