Sumitomo Electric Device Innovations 的 FHX13X 是一款射頻晶體管，頻率為 12 GHz，功率為 14 dBm，功率（W）為 0 至 0.03 W，增益為 11 至 13 dB，噪聲系數為 0.45 至 0.5 dB。標簽： 芯片。FHX13X 的更多細節可以在下面看到。
| 零件號 | FHX13X |
|---|---|
| 功能 | GaAs FET 和 HEMT 芯片 |
| 特征 |
|
| 描述 | FHX13X、FHX14X 是超高電子遷移率晶體管 (SuperHEMTTM)，適用于 2-18GHz 頻率范圍內的通用、超低噪聲和高增益放大器。這些器件非常適合電信、DBS、TVRO、VSAT 或其他低噪聲應用。住友電工嚴格的質量保證計劃可確保最高的可靠性和始終如一的性能。 |
| 噪聲系數 NF Typ. （D b） | 0.45 |
|---|---|
| 相關增益氣體典型值。（D b） | 13 |
| 漏極電壓 VDS (V) | 2 |
| 漏極電流 lDS (mA) | 10 |
| 頻率 f (GHz) | 12 |
| 應用 | 低噪聲放大器 |
| 筆記 | Tc(op)=+25°C 常規芯片 |
產品規格
產品詳情
零件號
FHX13X
制造商
住友電工設備創新
描述
12 GHz、11 至 13 dB 增益 GaAs HEMT
一般參數
晶體管類型
HEMT
技術
砷化鎵
應用行業
衛星通信
頻率
12GHz
力量
14分貝
功率(W)
0 至 0.03 瓦
獲得
11 至 13 分貝
噪聲系數
0.45 至 0.5 分貝
電源電壓
2伏
輸入功率
-10 至 8 dBm
漏電流
10 至 60 毫安
熱阻
220 至 300 度 C/W
包裝類型
芯片
RoHS
是的
貯存溫度
-65 至 175 攝氏度
筆記
柵源擊穿電壓：-0.3 V
FLM1314-3F
FLM1011-15F
FLM1011-4F
FLM1011-12F
FLM1213-8F
FLM0910-8F
FLM0910-25F
FLM0910-12F
FLM7785-12F
FLM8596-4F
FLM7185-6F
FLM7785-45F
ELM7785-35F
ELM7785-16F
FLM8596-8F
ELM7785-60F
FLM7785-6F
FLM7785-4F
FLM8596-15F
FLM7785-18F
FLM7785-8F
ELM7785-10F
FLM7185-12F
FLM7179-18F
FLM8596-12F
FLM6472-4F
FLM5972-4F
FLM6472-18F
ELM7179-16F
ELM7179-10F
FLM7179-4F
ELM6472-16F
FLM5972-8F
ELM6472-10F
FLM7179-6F
FLM6472-25F
FLM7179-12F
FLM6472-6F
FLM5972-12F
FLM7179-8F
FLM6472-12F
FLM6472-8F
FLM5964-18F/001
FLM5359-45F
