Sumitomo Electric Device Innovations 的 SGK5867-100A/001 是一款射頻晶體管，頻率為 5.85 至 6.75 GHz，功率為 49.5 至 50.5 dBm，功率（W）為 89.13 至 112.2 W，增益為 12.5 至 13.5 dB，功率附加效率為 0.45。標(biāo)簽：法蘭。SGK5867-100A/001 的更多詳細(xì)信息見(jiàn)下文。
| 零件號(hào) | SGK5867-100A/001 |
|---|---|
| 功能 | C 波段內(nèi)部匹配 GaN-HEMT |
| 特征 |
|
| 描述 | SGK5867-100A/001 是一款高功率 GaN-HEMT，內(nèi)部匹配標(biāo)準(zhǔn)通信頻段，可在 50Ω 系統(tǒng)中提供最佳功率和增益。 |
| 頻率 f (GHz) | 5.85-6.75 |
|---|---|
| 2tone 測(cè)試 LM3 Typ. (分貝) | -25 |
| 2tone 測(cè)試 @Pout SCL (dBm) | 44 |
| 噘嘴典型。(分貝) | 50.5 |
| GL.Typ (dB) | 13.5 |
| 添加類型（%） | 45 |
| VDS 典型值 (V) | 24 |
| lDS(DC) 典型值(A) | 4 |
| lDS(RF) 典型值(A) | 10 |
| Rth典型值。(°C/W) | 0.55 |
| 操作模式 | 連續(xù)波操作 |
| 筆記 | Tc(op)=+25°C |
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號(hào)
SGK5867-100A/001
制造商
住友電工設(shè)備創(chuàng)新
描述
5.85 至 6.75 GHz、12.5 至 13.5 dB 增益 GaN on SiC HEMT
一般參數(shù)
晶體管類型
HEMT
技術(shù)
碳化硅上氮化鎵、氮化鎵
應(yīng)用行業(yè)
衛(wèi)星通信
申請(qǐng)類型
C波段
連續(xù)波/脈沖
連續(xù)波
頻率
5.85 至 6.75 GHz
力量
49.5 至 50.5 dBm
功率(W)
89.13 至 112.2 瓦
獲得
12.5 至 13.5 分貝
功率附加效率
0.45
跨導(dǎo)
12秒
電源電壓
24 伏
電壓 - 漏源 (Vdss)
24 伏
電壓 - 柵源 (Vgs)
-10 伏
漏電流
10 至 14 安
功耗 (Pdiss)
212 瓦
IMD
-25 分貝
阻抗 Z
50 歐姆
熱阻
0.55 至 0.75 攝氏度/W
包裝類型
法蘭式
RoHS
是的
工作溫度
-40 至 125 攝氏度
貯存溫度
-55 至 125 攝氏度
筆記
飽和漏極電流：26 A，增益平坦度：1.6 dB，正向柵極電流：24.4 mA，反向柵極電流：-12.8 mA
SGN2729-600H-R
SGN3035-150H-R
SGN21-120H-R
SGN26C320I2D
SGN31E030MK
SGN21C050MK
SGN2729-250H-R
SGK5254-30A-R
EGN26C210I2D
SGK5254-120A-R
EGN26C105I2D
EGN16C105MK
EGN21C070MK
EGN35C030MK
EGN21C030MK
EGN21C020MK
EGN26C030MK
EGN26C020MK
EGN21C320IV
EGN21C210I2D
SGN19C210I2D
EGN21C105I2D
EGNC105MK
EGN21C160I2D
EGNC210MK
SGN21C105MK
SGN19C160I2D
SGFCF20S-D
SG36F30S-D
SGFCF20T-D
SGFCF40T-D
SG26F30S-D
SGFCF15S-D
SGFCF10S-D
SGK1314-50A
SGK1314-60A
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SGK1314-30A
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SGK6472-60A
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