Sumitomo Electric Device Innovations 的 SGFCF30T-D 是一款射頻晶體管，頻率 DC 至 3.7 GHz，功率 39.5 dBm，功率 (W) 8.91 W，飽和功率 41.5 至 42.5 dBm，功率增益 (Gp) 18.5 至 19.5 dB。標(biāo)簽：表面貼裝。有關(guān) SGFCF30T-D 的更多詳細(xì)信息，請參見下文。
| 零件號 | SGFCF30T-D |
|---|---|
| 功能 | 高壓 - 塑料 GaN-HEMT 雙器件 |
| 特征 |
|
| 描述 | 住友電工的 GaN-HEMT 為工作電壓為 50V 的高功率 L 波段放大器提供高效率、易于匹配、更高的一致性和寬帶寬，并為您提供更高的增益。該器件的目標(biāo)應(yīng)用是基站收發(fā)器的微蜂窩的驅(qū)動階段和最后階段。 |
| 單/雙 | 雙胞胎 |
|---|---|
| 操作頻率 (GHz) | DC-3.7 |
| 測量頻率 (GHz) | 2.65 |
| 典型值。(dBm) *1 | 42.5 |
| 噘嘴 (平均) (dBm) *2 | 29 |
| Gp @Pout(Ave.) 典型值。(分貝) *2 | 19.5 |
| ηd @Pout(Ave.) 典型值。(%) *2 | 13.5 |
| VDS (V) | 50 |
| IDS (直流) (毫安) | 75 |
| Rth典型值。(°C/W) *3 | 9 |
| 筆記 | *1: 10%-duty RF 脈沖(直流電源常數(shù)) *2: Pout=(Ave.) , W-CDMA(3GPP3.4 12-00)BS-1 64ch 85% 削波調(diào)制(PAR=8.5dB@0.01 %) *3：抽樣測試：樣本大小 10 件。Criteria(accept / reject)=(0 / 1) 一條路徑的規(guī)格 注：Tc (op)=+25°C |
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號
SGFCF30T-D
制造商
住友電工設(shè)備創(chuàng)新
描述
DC 至 3.7 GHz，增益 GaN on SiC HEMT
一般參數(shù)
晶體管類型
HEMT
技術(shù)
碳化硅上氮化鎵、氮化鎵
應(yīng)用行業(yè)
無線基礎(chǔ)設(shè)施
應(yīng)用
WCDMA、LTE、基站
頻率
直流至 3.7 GHz
力量
39.5 分貝
功率(W)
8.91 瓦
飽和功率
41.5 至 42.5 dBm
功率增益 (Gp)
18.5 至 19.5 分貝
電源電壓
50 伏
電壓 - 漏源 (Vdss)
50 伏
電壓 - 柵源 (Vgs)
-15 伏
排水效率
11.5 至 13.5%
功耗 (Pdiss)
14.8 瓦
熱阻
9 到 10.5 度 C/W
包裝類型
表面貼裝
RoHS
是的
貯存溫度
-40 至 125 攝氏度
筆記
正向柵極電流：33 mA，反向柵極電流：-0.5 mA
SMM5730XZ
SMM5731XZ
SMM5729XZ
SMM5728XZ
FMM5715X
FMM5704X
FMM5820X
SMM5727XZ
FMM5804X
SMM5846X
EMM5840X
FMM5716X
SMM5724XZ
FMM5714X
FMM5701X
FMM5703X
SMM5722XZ
SMM5723XZ
SMM5850XZ
FMM5709X
SMM5849XZ
EMM5832VU
EMM5074X
EMM5838V1B
EMM5068X
SMM5848XZ
EMM5075X
EMM5717X
EMM5078X
FMM5822X
SMM5855V1D
SMM5846V1D
EMM5079X
EMM5834X
FMM5059VU
FMM5822VU
SMM5085V1B
EMM5068VU
EMM5081V1B
SMM5845V1B
EMM5075VU
FMM5059VF
FMM5061VF
EMM5079ZB
