Sumitomo Electric Device Innovations 的 EGN21C160I2D 是一款射頻晶體管，頻率 2.14 GHz，功率 49.5 dBm，功率 (W) 89.13 W，飽和功率 51.7 至 52.5 dBm，功率增益 (Gp) 17 至 18 dB。標簽：法蘭。有關 EGN21C160I2D 的更多詳細信息，請參見下文。
產品規格
產品詳情
零件號
EGN21C160I2D
制造商
住友電工設備創新
描述
2.14 GHz，增益 GaN on SiC HEMT
一般參數
晶體管類型
HEMT
技術
碳化硅上氮化鎵、氮化鎵
應用行業
無線基礎設施
申請類型
L波段
應用
基站，LTE
頻率
2.14GHz
力量
49.5 分貝
功率(W)
89.13 瓦
飽和功率
51.7 至 52.5 dBm
功率增益 (Gp)
17 至 18 分貝
電源電壓
50 伏
電壓 - 漏源 (Vdss)
50 伏
電壓 - 柵源 (Vgs)
-15 伏
排水效率
28% 到 32%
功耗 (Pdiss)
132 瓦
IMD
-32 至 -28 dBc
熱阻
1.4 到 1.6 度 C/W
包裝類型
法蘭式
RoHS
是的
貯存溫度
-65 至 175 攝氏度
筆記
正向柵極電流：153 mA，反向柵極電流：-5.8 mA
SGN2729-600H-R
SGN3035-150H-R
SGN21-120H-R
SGN26C320I2D
SGN31E030MK
SGN21C050MK
SGN2729-250H-R
SGK5254-30A-R
EGN26C210I2D
SGK5254-120A-R
EGN26C105I2D
EGN16C105MK
EGN21C070MK
EGN35C030MK
EGN21C030MK
EGN21C020MK
EGN26C030MK
EGN26C020MK
EGN21C320IV
EGN21C210I2D
SGN19C210I2D
EGN21C105I2D
EGNC105MK
EGN21C160I2D
EGNC210MK
SGN21C105MK
SGN19C160I2D
SGFCF20S-D
SG36F30S-D
SGFCF20T-D
SGFCF40T-D
SG26F30S-D
SGFCF15S-D
SGFCF10S-D
SGK1314-50A
SGK1314-60A
SGK7785-100A
SGK1314-30A
SGK1314-25A
SGK1011-25A
SGK5867-100A/001
SGK6472-60A
SGK5867-30A
SGK7785-60A
