Sumitomo Electric Device Innovations 的 EGN26C210I2D 是一款射頻晶體管，頻率 2.6 GHz，功率 50.5 dBm，功率 (W) 112.2 W，飽和功率 52 至 53 dBm，功率增益 (Gp) 15 至 16 dB。標簽：法蘭。有關(guān) EGN26C210I2D 的更多詳細信息，請參見下文。
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號
EGN26C210I2D
制造商
住友電工設(shè)備創(chuàng)新
描述
2.6 GHz，增益 GaN on SiC HEMT
一般參數(shù)
晶體管類型
HEMT
技術(shù)
碳化硅上氮化鎵、氮化鎵
應(yīng)用行業(yè)
無線基礎(chǔ)設(shè)施
申請類型
L波段
應(yīng)用
基站，LTE
頻率
2.6GHz
力量
50.5 分貝
功率(W)
112.2 瓦
飽和功率
52 至 53 dBm
功率增益 (Gp)
15 至 16 分貝
電源電壓
50 伏
電壓 - 漏源 (Vdss)
50 伏
電壓 - 柵源 (Vgs)
-15 伏
排水效率
25% 到 30%
功耗 (Pdiss)
173 瓦
熱阻
1.1 至 1.3 度 C/W
包裝類型
法蘭式
RoHS
是的
貯存溫度
-65 至 175 攝氏度
筆記
正向柵極電流：204 mA，反向柵極電流：-7.8 mA
FLM3439-25F
FLM3742-12F
FLM3135-12F
FLM3742-8F
ELM7785-7PS
ELM5964-7PS
ELM6472-7PS
ELM6472-4PS
ELM7179-4PS
ELM7785-4PS
ELM5964-4PS
ELM7179-7PS
SGC8598-200A-R
SGC0910-300A-R
SGN3135-500H-R
