Qorvo 的 QPD0006 是一種單路徑高電子遷移率晶體管 (HEMT)，工作頻率范圍為 2.5 至 5 GHz。它提供 13.5 W (~41.3 dBm) 的輸出功率，增益為 16 dB，漏極效率為 75%。該晶體管使用碳化硅 (SiC) 上的氮化鎵 (GaN) 工藝制造。它需要 48 V 的直流電源并消耗 40 mA 的電流。該晶體管采用表面貼裝 DFN 封裝，尺寸為 4.5 x 4 mm，非常適合 WCDMA / LTE、宏蜂窩基站、微蜂窩基站、小型蜂窩、有源天線、5G 大規(guī)模 MIMO 和通用應(yīng)用。

產(chǎn)品規(guī)格

產(chǎn)品詳情

零件號(hào)                 QPD0006

制造商                科爾沃

描述                    2.5 至 5 GHz 的 13.5 W GaN-on-SiC HEMT

一般參數(shù)

晶體管類型           HEMT

技術(shù)                    碳化硅上的氮化鎵

應(yīng)用行業(yè)              蜂窩

應(yīng)用                    5G Massive MIMO、通用、宏蜂窩基站驅(qū)動(dòng)器、微蜂窩基站、小型蜂窩和有源天線、WCDMA

頻率                    2.5 至 5 GHz

飽和功率             41.3 分貝

OIP3                  13.5分貝

獲得                   16分貝

電源電壓            48 伏

排水效率           75 %

靜態(tài)漏極電流    40毫安

包裹                  DFN 封裝

方面                 4.5 x 4.0 毫米

RoHS               是的

年級                 商業(yè)的

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