Qorvo 的 QPD2018D 是一款分立式 180 微米 GaAs pHEMT 晶體管，工作頻率為直流至 20 GHz。它提供 14 dB 的增益和 55% 的功率附加效率，噪聲系數為 1 dB。該晶體管采用 Qorvo 的標準 0.25 um 功率 pHEMT 生產工藝設計，采用先進技術，可在高漏極偏置工作條件下優化微波功率和效率。它以尺寸為 0.41 x 0.34 x 0.10 毫米的芯片形式提供，帶有氮化硅保護涂層，可提供環境穩定性和劃痕保護。該晶體管非常適合用于通信、雷達、點對點無線電和衛星通信應用。

產品規格

產品詳情

零件號             QPD2018D

制造商              科爾沃

描述                 從 DC 到 20 GHz 的分立 GaAs pHEMT 晶體管芯片

一般參數

晶體管類型       pHEMT

應用行業          廣播、雷達、衛星通信

頻率                直流至 20 GHz

力量                22 dBm (Psat)

功率(W)          0.15 瓦（Psat）

P1dB               22分貝

獲得                14分貝

噪聲系數         1分貝

電源電壓          8 伏

當前的             29 毫安

無鉛                 是的

包裝類型          表面貼裝

包裹                 死

方面                0.41 x 0.34 x 0.10 毫米

RoHS               是的

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