Qorvo 的 QPD1025 是一種分立式 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 1.0 至 1.1 GHz。它提供 22.5 dB 的增益和 77.2% 的功率附加效率。該晶體管的漏極效率明顯優(yōu)于 LDMOS。它在 65 V 電源下運(yùn)行時提供 1800 W (P3dB) 的輸出功率。它采用標(biāo)準(zhǔn)氣腔封裝，非常適用于 IFF、航空電子設(shè)備和測試儀器。該器件可以支持 CW 和脈沖操作。

產(chǎn)品規(guī)格

產(chǎn)品詳情

零件號                QPD1025

制造商                科爾沃

描述                   1800 瓦 GaN on SiC 分立晶體管，頻率范圍為 1 至 1.1 GHz

一般參數(shù)

晶體管類型         HEMT

技術(shù)                   碳化硅上氮化鎵、氮化鎵

應(yīng)用行業(yè)            航空航天與國防、測試與測量

應(yīng)用                   航空電子設(shè)備、測試和儀器儀表

連續(xù)波/脈沖       連續(xù)波，脈沖

頻率                  1 至 1.1 GHz

力量                  62.7 分貝

功率(W)            1862 瓦

獲得                  22.5分貝

功率附加效率    77.2 %

電源電壓           65 伏

擊穿電壓 - 漏源  225 伏

電壓 - 漏源 (Vdss)  65 至 70 伏

電壓 - 柵源 (Vgs)  -2.8 伏

漏電流                 28個

漏極偏置電流      1.5A

功耗 (Pdiss)         496 至 685 瓦

RoHS                   是的

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