NPTB00004A GaN HEMT是針對DC-6 GHz操作優化的寬帶晶體管。該器件設計用于連續、脈沖和線性操作，輸出功率水平為5W（37 dBm），采用行業標準表面貼裝SOIC塑料封裝。在頻率低于3GHz時，NPTB00004A是NPTB00004的替代產品。
產品規格
零件編號 NPTB00004A型
簡短描述 GaN放大器28 V，5 W，DC-6 GHz
最小頻率（MHz） 0
最大頻率（MHz） 6000
電源電壓（V） 28
PSAT（瓦） 5
增益（dB） 17
效率 >50
測試頻率（GHz） 2.50
包裹 土壤8NE
包裝類別 塑料
特征
2.5GHz時57%的漏極效率
GaN on Si HEMT D模晶體管
可從DC調諧-6 GHz
行業標準SOIC塑料包裝
28V操作
應用
航空航天與國防
國防通信
ISM公司
VHF/UHF/L波段雷達
無線基礎設施
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