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深圳市聚成恒信電子科技有限公司

致力于全面服務射頻微波,毫米微波客戶,將射頻微波,毫米微波原材料聚成恒信電子秉承長期合作拉近原廠與終端用戶的距離為促進三方共贏的良性合作關系

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TGF3020-SM 是一種 GaN on SiC HEMT 晶體管

型號: TGF3020-SM

--- 產品參數 ---

  • 頻率 4 至 6 GHz
  • 力量 36.99 分貝
  • 功率(W) 5 瓦
  • 飽和功率 38.3 分貝
  • 脈沖寬度 100 我們

--- 產品詳情 ---

Triquint 的 TGF3020-SM 是一種 GaN on SiC HEMT 晶體管,工作頻率范圍為 4 GHz 至 6 GHz。它提供高達 5 W 的功率,增益為 12.7 dB,效率為 59.6 %。HEMT 功率晶體管需要 32 V 電源才能運行,并消耗 25 mA 的電流。它采用行業標準的 3 x 3 mm 表面貼裝 QFN 封裝。它可用于C波段雷達、通信系統、遙測、通信系統、寬帶功率放大器和測試儀器應用。

產品規格

產品詳情

零件號                   TGF3020-SM

制造商                   科爾沃

描述                      4 GHz 至 6 GHz 的 5 瓦 GaN HEMT

一般參數

晶體管類型           HEMT

技術                     碳化硅上氮化鎵、氮化鎵

應用行業              雷達、ISM、測試與測量

應用                    通訊、測試儀器

連續波/脈沖        脈沖,連續波

頻率                   4 至 6 GHz

力量                   36.99 分貝

功率(W)             5 瓦

飽和功率            38.3 分貝

脈沖寬度           100 我們

占空比               0.2

獲得                  12.7分貝

電源電壓           32 伏

電壓 - 柵源 (Vgs)  -2.7 伏

靜態漏極電流    25毫安

阻抗 Z              50 歐姆

包裝類型          表面貼裝

包裹                3 x 3 毫米

RoHS              是的

 

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