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深圳市聚成恒信電子科技有限公司

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TGF3015-SM 是一種分立式 GaN on SiC HEMT

型號: TGF3015-SM

--- 產品參數 ---

  • 頻率 30 MHz 至 3 GHz
  • 力量 40分貝
  • 功率(W) 10 瓦
  • 飽和功率 40.4 分貝
  • 脈沖寬度 100 我們

--- 產品詳情 ---

TriQuint 的 TGF3015-SM 是一種分立式 GaN on SiC HEMT,工作頻率范圍為 0.03 至 3 GHz。它在 2.4 GHz 時提供 11 W 的輸出功率 (P3dB),線性增益高達 17.1 dB,PAE 為 62.7 %。它需要 32 V 的電源并消耗 50 mA 的電流。該晶體管采用無鉛封裝,尺寸為 3 x 3 mm,符合 RoHS 標準。它可用于軍用雷達、民用雷達、測試儀器以及專業和軍用無線電通信應用。

產品規格

產品詳情

零件號                  TGF3015-SM

制造商                  科爾沃

描述                     11 瓦 GaN 功率晶體管,頻率范圍為 0.03 GHz 至 3 GHz

一般參數

晶體管類型         HEMT

技術                   碳化硅上氮化鎵、氮化鎵

應用行業            無線基礎設施、雷達、航空航天與國防、測試與測量

應用                  軍事、通信、干擾器、測試儀器、C 波段、ISM 波段

連續波/脈沖      脈沖,連續波

頻率                 30 MHz 至 3 GHz

力量                 40分貝

功率(W)           10 瓦

飽和功率          40.4 分貝

脈沖寬度         100 我們

占空比            0.2

獲得               17分貝

電源電壓        32 伏

電壓 - 柵源 (Vgs)  -2.7 伏

靜態漏極電流   50毫安

阻抗 Z             50 歐姆

包裝類型         表面貼裝

包裹               3 x 3 毫米

RoHS             是的

 

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