MASW-008853-000000
砷化鎵高壓
MASW-008853 是一款 GaAs pHEMT MMIC 單刀雙擲 (SPDT) 大功率開關(guān)，采用低成本 SC70 六引線封裝。MACOM 的 MASW-008853 非常適合需要高功率、低控制電壓、低插入損耗、高隔離、小尺寸和低成本的應(yīng)用。典型應(yīng)用是用于將單獨的收發(fā)器和/或 GPS 功能連接到公共天線的 CDMA 手機系統(tǒng)，以及其他相關(guān)的手機和通用應(yīng)用。MASW-008853 可用于所有工作頻率高達(dá) 5.0 GHz 的系統(tǒng)，需要在低控制電壓下提供高功率。MASW-008853 采用 0.5 微米柵極長度的 GaAs pHEMT 工藝制造。該工藝具有完全鈍化的性能和可靠性。
砷化鎵高壓
MASW-008853 是一款 GaAs pHEMT MMIC 單刀雙擲 (SPDT) 大功率開關(guān)，采用低成本 SC70 六引線封裝。MACOM 的 MASW-008853 非常適合需要高功率、低控制電壓、低插入損耗、高隔離、小尺寸和低成本的應(yīng)用。典型應(yīng)用是用于將單獨的收發(fā)器和/或 GPS 功能連接到公共天線的 CDMA 手機系統(tǒng)，以及其他相關(guān)的手機和通用應(yīng)用。MASW-008853 可用于所有工作頻率高達(dá) 5.0 GHz 的系統(tǒng)，需要在低控制電壓下提供高功率。MASW-008853 采用 0.5 微米柵極長度的 GaAs pHEMT 工藝制造。該工藝具有完全鈍化的性能和可靠性。
特征
- 低電壓操作：2.7 V
- 260°C 回流兼容
- 無鹵“綠色”模塑料
- 銅上 100% 啞光鍍錫
- 無鉛 SC70 封裝
- 高隔離度：25 dB @ 1 GHz
- 低插入損耗：0.25 dB @ 1 GHz
- 高 IP3：+56 dBm
- 大功率：+38dBm（典型值）P0.1dB
- 符合 RoHS*
MASW-007588-000000 MASWSS0143 MA4SW410B-1
MASW6030G MASW-007074-000100 MASW-008206-000DIE
MASW-007075-000100 MASW-004103-1365 MA4AGSW1
MASWSS0181 MASW-010646 MASWSS0157
MASW-008801 MASW-001150-1316 MASW-008853-000000
MASW20000 MASW-001100-1190 MASW-009588
MASWSS0121 MA4SW610B-1 MASW-003102-13590
MASW-008177-000000 MA4SW210 MASW6010G
MASWSS0129 MA4SW110 MASWSS0202
MA4AGSW5 MAMF-011038 MASW-003103-1364
