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?ADRF5345是一款高線性度、反射式、單刀四擲(SP4T)開關(guān)，采用硅工藝制造。
ADRF5345的工作頻率范圍為1.8 GHz至3.8 GHz，具有低于0.40 dB的典型插入損耗以及84 dBm的典型輸入IP3。針對(duì)長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)信號(hào)，該器件具有39 dBm（連續(xù)波信號(hào)）、39 dBm（平均值）和49 dBm（峰值）的RF輸入功率處理能力。
ADRF5345集成負(fù)電壓發(fā)生器(NVG)，可采用施加于VDD引腳的5 V (VDD)單正電源供電，同時(shí)消耗2 mA的電源電流。該器件利用低壓互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(LVCMOS)/低壓晶體管對(duì)晶體管邏輯(LVTTL)兼容控制。
ADRF5345采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的4 mm × 4 mm、22引腳、基板柵格陣列(LGA)封裝，工作溫度范圍為?40°C至+105°C。
應(yīng)用
- 5G天線傾斜
- 無線基礎(chǔ)設(shè)施
- 軍事和高可靠性應(yīng)用
- 測(cè)試設(shè)備
- 引腳二極管替代器件
- 反射式設(shè)計(jì)
- 低插入損耗
- 0.35 dB 至 2.8 GHz（典型值）
- 0.40 dB 至 3.8 GHz（典型值）
- TCASE = 105°C 時(shí)具有高功率處理能力
- 長(zhǎng)期（>10 年）平均值
- 連續(xù)波功率：39 dBm
- 長(zhǎng)期演進(jìn)信號(hào)
- 平均功率：39 dBm
- 峰值功率：49 dBm
- 長(zhǎng)期（>10 年）平均值
- 高輸入線性度，IP3：84 dBm（典型值）
- ESD 額定值
- HBM：2000 伏，2 級(jí)
- CDM：1000 V，C3 級(jí)
- 單電源運(yùn)行，集成 NVG
- 正控制，兼容 LVCMOS-/LVTTL
- 4 毫米 x 4 毫米、22 端子 LGA 封裝
ADRF5345NEW
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