--- 產品參數 ---
- 寬帶頻率范圍 DC-20 GHz SPDT非反射式開關(裸片)
- 非反射式 50 Ω設計
- 低插入損耗 最大值2.2 dB(20 GHz時,裸片)
- 高隔離度: 最小值40 dB(20 GHz時,裸片)
- 高輸入線性度 輸入P1dB:23 dBm(典型值)(裸片和LH5封裝)
--- 產品詳情 ---
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ADH347S是一款寬帶、非反射式砷化鎵(GaAs),采用裸片解決方案的頻率范圍為DC至20 GHz,采用LH5封裝解決方案的頻率范圍為DC至14 GHz。該開關提供高隔離度和低插入損耗。由于采用了片內通孔結構,該開關在較低頻率下具有超過50 dB的隔離度,在較高頻率下具有超過40 dB的隔離度。該開關采用-5/0V的互補負控制電壓邏輯線路工作,無需偏置電源。
應用
- 點對點/多點無線電
- VSAT無線電
- 光纖和寬帶通信
- 太空和軍事
- 寬帶頻率范圍:
- DC-20 GHz SPDT非反射式開關(裸片)
- DC-14 GHz SPDT非反射式開關(LH5封裝)
- 非反射式、50 Ω設計
- 低插入損耗:
- 最大值2.2 dB(20 GHz時,裸片)
- 最大值3.0 dB(14 GHz時,LH5封裝)
- 高隔離度:
- 最小值40 dB(20 GHz時,裸片)
- 最小值45 dB(14 GHz時,LH5封裝)
- 高輸入線性度
- 輸入P1dB:23 dBm(典型值)(裸片和LH5封裝)
- 輸入IP3:43 dBm(典型值)(裸片和LH5封裝)
- 高功率處理
- 27 dBm,最高TA = +75 °C(裸片)
- 26 dBm,僅TA > +75 °C至TA = +85 °C之間(裸片)
- 27 dBm,最高TA = +51 °C(LH5封裝)
- 25 dBm,僅TA > +51 °C至TA = +85 °C之間(LH5封裝)
- LH5,陶瓷密封SMT
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