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ADRF5132 是一款高功率反射式 0.7 GHz 到 5.0 GHz 硅單刀雙擲 (SPDT) 反射開(kāi)關(guān)，采用無(wú)鉛的表面貼裝式封裝。此開(kāi)關(guān)適用于高功率和蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，如長(zhǎng)期演進(jìn) (LTE) 基站。ADRF5132 具有 35 dBm LTE 的高功率處理能力（105°C 時(shí)的平均典型值）、2.7 GHz 時(shí) 0.6 dB 的低插入損耗、65 dBm 的輸入三階截距（典型值）和 42.5 dBm 的 0.1 dB 壓紋 (P0.1dB)。
片內(nèi)電路使用 5 V 的單一正電源工作，典型電源電流為 1.1 mA，使得 ADRF5132 成為基于 Pin 二極管的開(kāi)關(guān)的理想替代方案。
此器件采用符合 RoHS 指令的緊湊式 16 引腳 3 mm × 3 mm LFCSP 封裝。
應(yīng)用
- 蜂窩/4G 基礎(chǔ)設(shè)施
- 無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施
- 軍事和高可靠性應(yīng)用
- 測(cè)試設(shè)備
- Pin 二極管替代方案
- 反射式 50 ? 設(shè)計(jì)
- 低插入損耗：2.7 GHz 時(shí)為 0.6 dB（典型值）
- TCASE = 105°C 時(shí)具有高功率處理能力
- 持久（>10 年運(yùn)行）
- 峰值功率：43 dBm
- 連續(xù)波功率：38 dBm
- 平均 LTE 功率 (8 dB PAR)：35 dBm
- 持久（>10 年運(yùn)行）
- 單一事件（<10 秒運(yùn)行）
- 平均 LTE 功率 (8 dB PAR)：41 dBm
- 高線性度
- P0.1dB：42.5 dBm（典型值）
- IP3：2.0 GHz 到 4.0 GHz 時(shí)為 65 dBm（典型值）
- ESD 額定值
- HBM：2 kV，2 級(jí)
- CDM：1.25 kV
- 單一正電源：5 V
- 正控制，CMOS/TTL 兼容
- 16 引腳 3 mm × 3 mm LFCSP 封裝
HMC849A
HMC194A
HMC284A
HMC546LP2E
HMC546MS8G
HMC646
HMC536LP2
HMC536MS8G
ADG936
ADG904
ADG901
ADG902
ADG918
ADG919
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