HMC8411LP2FE 是一款砷化鎵 (GaAs)、單片微波集成電路 (MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為 0.01 GHz 至 10 GHz。
HMC8411LP2FE 提供 15.5 dB 的典型增益、1.7 dB 的典型噪聲系數(shù)和 34 dBm 的典型輸出三階截距 (OIP3)，在 5 V 電源電壓下僅需 55 mA。典型值 19.5 dBm的飽和輸出功率 (P SAT ) 使低噪聲放大器 (LNA) 能夠用作許多 Analog Devices, Inc. 的平衡、同相/正交 (I/Q) 的本地振蕩器 (LO) 驅(qū)動器)，或鏡像抑制混頻器。
HMC8411LP2FE 還具有內(nèi)部匹配至 50 Ω 的輸入和輸出，使該器件非常適合基于表面貼裝技術(shù) (SMT) 的高容量微波無線電應(yīng)用。
HMC8411LP2FE 采用符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的 2 mm × 2 mm、6 引腳 LFCSP 封裝。
多功能引腳名稱只能由其相關(guān)功能引用。
應(yīng)用
- 測試儀器
- 軍事通訊
- 低噪聲系數(shù)：1.7 dB（典型值）
- 單正電源（自偏置）
- 高增益：15.5 dB（典型值）
- 高OIP3：34 dBm（典型值）
- 6引腳、2 mm × 2 mm LFCSP
HMC8411TCPZ-EP支持防務(wù)和航空航天應(yīng)用（AQEC標(biāo)準(zhǔn)）
- 軍用溫度范圍（-55℃至+125℃）
- 受控制造基線
- 唯一封裝/測試廠
- 唯一制造廠
- 產(chǎn)品變更通知
- 認(rèn)證數(shù)據(jù)可應(yīng)要求提供
ADL8150-Die
ADL8150ACPZN
ADPA9002
HMC8411
HMC8411-EP
HMC8412-Die
HMC8412LP2FE
HMC998A-Die
HMC998ALP5E
HMC998APM5E
HMC907A-Die
HMC907ALP5E
HMC907APM5E
HMC797A-Die
HMC797ALP5E
HMC797APM5E
HMC5805A
HMC7950
HMC589A
HMC8410-Die
HMC8410LP2FE
HMC930A-Die
HMC788A
ADL5611
ADL5544
ADL5545
ADL5602
ADL5521
HMC606-Die
HMC606LC5
HMC3653
HMC460-Die
HMC460LC5
HMC519-Die
HMC519LC4
HMC311LP3
HMC311SC70
HMC311ST89
HMC326
