--- 產品詳情 ---
耐輻射加固保障 (RHA) 6.5GHz 超寬帶全差分放大器
Number of channels (#) | 1 |
Total supply voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) | 3.15 |
Total supply voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) | 5.25 |
BW @ Acl (MHz) | 4100 |
Acl, min spec gain (V/V) | 5 |
Slew rate (Typ) (V/us) | 17500 |
Architecture | Fully Differential ADC Driver, Bipolar |
Vn at flatband (Typ) (nV/rtHz) | 1.25 |
Iq per channel (Typ) (mA) | 60 |
Rail-to-rail | No |
Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV) | 5 |
Operating temperature range (C) | -55 to 125, 25 to 25 |
Approx. price (US$) | 5248.95 | 1ku |
Output current (Typ) (mA) | 50 |
2nd harmonic (dBc) | 91 |
3rd harmonic (dBc) | 95 |
Frequency of harmonic distortion measurement (MHz) | 100 |
GBW (Typ) (MHz) | 6500 |
Input bias current (Max) (pA) | 60000000 |
Features | Shutdown |
CMRR (Typ) (dB) | 72 |
Rating | Space |
- QMLV(QML V 類)已通過 MIL-PRF-38535 認證,SMD 5962R1721401VXC
- 耐輻射加固保障 (RHA) 能力高達 100krad (Si) 總電離劑量 (TID)
- 單粒子閂鎖 (SEL) 對于
LET 的抗擾度 = 85MeV-cm2/mg - 支持軍用級溫度范圍(-55°C 至 125°C)
- 增益帶寬積 (GBP):6.5GHz
- 優異的線性性能:
直流電頻率達 2GHz - 壓擺率:17,500V/μs
- 低 HD2、HD3 失真
(500mVPP,100Ω,SE-DE,Gv = 17dB)(1):- 100MHz:HD2 為 -91dBc,HD3 為 -95dBc
- 200MHz:HD2 為 -86dBc,HD3 為 -85dBc
- 500MHz:HD2 為 -80dBc,HD3 為 -80dBc
- 1GHz:HD2 為 -53dBc,HD3 為 -70dBc
- 2GHz:HD2 為 -68dBc,HD3 為 -56dBc
- 低 IMD2、IMD3 失真
(1VPP,100Ω,SE-DE,Gv = 17dB)(1):- 500MHz:IMD2 為 –90dBc,IMD3 為 –79dBc
- 1GHz:IMD2 為 –80dBc,IMD3 為 –61dBc
- 2GHz:IMD2 為 –64dBc,IMD3 為 –42dBc
- 高 OIP2、OIP3。Gp = 8dB(1)
- 500MHz:OIP2 為 91dBm,OIP3 為 47.7dBm
- 1 GHz:OIP2 為 80dBm,OIP3 為 37.5dBm
- 輸入電壓噪聲:1.25nV/√Hz
- 輸入電流噪聲:3.5pA/√Hz
- 支持單電源和雙電源運行
- 電流消耗:60mA
- 關斷特性 (1)
(1)功率增益 (Gp) = 8dB;電壓增益 (Gv) = 17dB;RL總計 = 200Ω。更多詳細信息請參見輸出參考節點和增益命名規則部分。
LMH5401-SP 是一款針對射頻 (RF)、中頻 (IF) 或高速直流耦合時域 應用優化的高性能耐輻射差分放大器。該器件非常適合于直流耦合或交流耦合 應用 。LMH5401-SP 在 SE-DE 或差分至差分 (DE-DE) 模式下運行時會產生非常低的二階和三階失真。
此放大器針對 SE-DE 和 DE-DE 系統進行了優化。該器件具有直流到 2GHz 的超高可用帶寬。LMH5401-SP 可在廣泛的 應用 (如測試與測量、寬帶通信以及高速數據采集)中用于在信號鏈中進行 SE-DE 轉換,而無需外部平衡-非平衡變壓器。
該器件提供了共模參考輸入引腳,以便使放大器輸出共模符合 ADC 輸入要求。可選電源范圍介于 3.3V 和 5V 之間,并且可根據應用要求支持雙電源供電。掉電功能還可實現節能。
當器件由 5V 電源供電且達到 300mW 超低功耗時,這一性能等級才能實現。該器件采用德州儀器 (TI) 的先進互補 BiCMOS 工藝制造,可節省空間,同時提供 LCCC-14 封裝以實現更高的性能。
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