DU28200M
射頻功率 MOSFET 晶體管 200W，2-175MHz，28V
數(shù)字金屬氧化物半導體
射頻功率 MOSFET 晶體管 200W，2-175MHz，28V
數(shù)字金屬氧化物半導體
特征
- N 溝道增強型器件
- 噪聲系數(shù)低于雙極器件
- 高飽和輸出功率
- 用于寬帶操作的較低電容
- DMOS結構
產(chǎn)品規(guī)格
零件號
DU28200M
描述
射頻功率 MOSFET 晶體管 200W，2-175MHz，28V
最小頻率(MHz)
2個
最大頻率(MHz)
175
偏壓(V)
28.0
噘嘴（W）
200.00
增益（分貝）
13:00
效率（％）
55
類型
數(shù)字金屬氧化物半導體
包裹
法蘭陶瓷包
包裹類別
陶瓷法蘭安裝
MRF275G UF2805B
MRF160 UF2840P
MRF151G DU2805S
MRF154 DU2820S
MRF157 DU28200M
MRF275L UF2810P
DU28120T UF2820P
MRF136 UF28100M
DU2880U UF28100V
