DU28120V
射頻功率 MOSFET 晶體管 120W，2-175MHz，28V
數字金屬氧化物半導體
射頻功率 MOSFET 晶體管 120W，2-175MHz，28V
數字金屬氧化物半導體
特征
- N 溝道增強型器件
- 噪聲系數低于雙極器件
- 高飽和輸出功率
- 用于寬帶操作的較低電容
- DMOS結構
產品規格
零件號
DU28120V
描述
射頻功率 MOSFET 晶體管 120W，2-175MHz，28V
最小頻率(MHz)
2個
最大頻率(MHz)
175
偏壓(V)
28.0
噘嘴（W）
120.00
增益（分貝）
13:00
效率（％）
60
類型
數字金屬氧化物半導體
包裹
法蘭陶瓷包
包裹類別
陶瓷法蘭安裝
DU28120V MAAM-010651
UF2805B MAAM-011100
UF2840P LAND-011045
DU2805S MAAD-011054-DIE
DU2820S MAAD-011055
DU28200M MAAD-011056-DIE
UF2810P MAAD-011057
UF2820P MAAD-011053
UF28100M LAND-011035
UF28100V LAND-011036
UF2840G MAAD-011038-DIE
