DU2880T
1 個射頻功率 MOSFET 晶體管 80W，2-175MHz，28V
數字金屬氧化物半導體
1 個射頻功率 MOSFET 晶體管 80W，2-175MHz，28V
數字金屬氧化物半導體
特征
- N 溝道增強型器件
- 噪聲系數低于雙極器件
- 高飽和輸出功率
- 用于寬帶操作的較低電容
- DMOS結構
產品規格
零件號
DU2880T
描述
1 個射頻功率 MOSFET 晶體管 80W，2-175MHz，28V
最小頻率(MHz)
2個
最大頻率(MHz)
175
偏壓(V)
28.0
噘嘴（W）
80.00
增益（分貝）
13:00
效率（％）
60
類型
數字金屬氧化物半導體
包裹
法蘭陶瓷包
包裹類別
陶瓷法蘭安裝
MRF166W DU1215S
MRF141G DU2810S
MRF151 DU2880T
MRF137 LF2805A
MRF150 UF2815B
MRF171A DU28120V
MRF275G UF2805B
MRF160 UF2840P
MRF151G DU2805S
MRF154 DU2820S
