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深圳市鑫瑯圖科技有限公司

射頻微波器件代理銷售

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DU28120T是射頻功率 MOSFET 晶體管 120W，2-175MHz，28V 數(shù)字金屬氧化物半導體

型號： DU28120T

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 零件號 DU28120T
  • 最小頻率(MHz) 2
  • 最大頻率(MHz) 175
  • 偏壓(V) 28.0
  • 增益（分貝） 13:00

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DU28120T

射頻功率 MOSFET 晶體管 120W，2-175MHz，28V

數(shù)字金屬氧化物半導體

 

射頻功率 MOSFET 晶體管 120W，2-175MHz，28V

 

數(shù)字金屬氧化物半導體

 

特征

  • N溝道增強型器件
  • 比雙極器件更低的噪聲系數(shù)
  • 高飽和輸出功率
  • 用于寬帶操作的較低電容
  • DMOS結(jié)構(gòu)

 

 

 

產(chǎn)品規(guī)格

零件號

 

DU28120T

描述

 

射頻功率 MOSFET 晶體管 120W，2-175MHz，28V

最小頻率(MHz)

 

2個

最大頻率(MHz)

 

175

偏壓(V)

 

28.0

噘嘴（W）

 

120.00

增益（分貝）

 

13:00

效率（％）

 

60

類型

 

數(shù)字金屬氧化物半導體

包裹

 

法蘭陶瓷包

包裹類別

 

陶瓷法蘭安裝

 

MRF317                      PH1214-300M               MAPR-001011-850S00

PH1090-75L                  DU28120T                   PH2856-160

DU1215S                     PH1214-6M                 PH3135-20M

DU2820S                     MRF392                     PH3134-20L

PH1214-25L                  MRF10150                   MRF454

MRF422                      MRF151                     MRF275G

MRF10120                   MAPRST0912-350             PH1090-550S

 

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