DU28120T
射頻功率 MOSFET 晶體管 120W，2-175MHz，28V
數(shù)字金屬氧化物半導體
射頻功率 MOSFET 晶體管 120W，2-175MHz，28V
數(shù)字金屬氧化物半導體
特征
- N溝道增強型器件
- 比雙極器件更低的噪聲系數(shù)
- 高飽和輸出功率
- 用于寬帶操作的較低電容
- DMOS結(jié)構(gòu)
產(chǎn)品規(guī)格
零件號
DU28120T
描述
射頻功率 MOSFET 晶體管 120W，2-175MHz，28V
最小頻率(MHz)
2個
最大頻率(MHz)
175
偏壓(V)
28.0
噘嘴（W）
120.00
增益（分貝）
13:00
效率（％）
60
類型
數(shù)字金屬氧化物半導體
包裹
法蘭陶瓷包
包裹類別
陶瓷法蘭安裝
MRF317 PH1214-300M MAPR-001011-850S00
PH1090-75L DU28120T PH2856-160
DU1215S PH1214-6M PH3135-20M
DU2820S MRF392 PH3134-20L
PH1214-25L MRF10150 MRF454
MRF422 MRF151 MRF275G
MRF10120 MAPRST0912-350 PH1090-550S
