航天級低噪聲精密高級 LinCMOS? 單路運算放大器
| Number of channels (#) | 1 |
| Total supply voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) | 16 |
| Total supply voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) | 4.6 |
| Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV) | 0.2 |
| GBW (Typ) (MHz) | 1.8 |
| Slew rate (Typ) (V/us) | 2.5 |
| Rail-to-rail | In to V-, Out |
| Offset drift (Typ) (uV/C) | 0.5 |
| Iq per channel (Typ) (mA) | 1 |
| Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz) | 8 |
| CMRR (Typ) (dB) | 110 |
| Rating | Space |
| Operating temperature range (C) | -55 to 125 |
| Input bias current (Max) (pA) | 60 |
| Output current (Typ) (mA) | 4.5 |
| Architecture | CMOS |
- 符合 QML-V 標(biāo)準(zhǔn)要求的 SMD5962-9088203V2A
- 低輸入失調(diào)電壓： 400μV （最大值）
- 在整個溫度范圍內(nèi)提供了出色的失調(diào)電壓穩(wěn)定性： 0.05μV/℃ （典型值）
- 軌至軌輸出擺幅
- 低輸入偏置電流： 在 TA = 25℃ 時的典型值為 1pA
- 共模輸入電壓范圍包括負(fù)電源軌
- 技術(shù)規(guī)格針對單電源及分離電源操作全面擬訂
LinCMOS is a trademark of Texas Instruments.
TLC2201 是一款精密、低噪聲運算放大器，運用了 TI 先進(jìn)的 LinCMOS 制造工藝。 該器件將極低噪聲 JFET 放大器的噪聲性能與以往僅雙極型放大器可提供的直流 (dc) 精度完美地組合在了一起。 Advanced LinCMOS工藝采用硅柵技術(shù)來獲得遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過采用金屬柵技術(shù)所能獲得的隨溫度和時間變化的輸入失調(diào)電壓穩(wěn)定性。 此外，這項工藝技術(shù)還可實現(xiàn)達(dá)到或超過頂柵 JFET 和昂貴的介質(zhì)隔離器件所提供的輸入阻抗位準(zhǔn) (impedance level)。
由于兼具卓越的直流和噪聲性能以及一個包括負(fù)電源軌的共模輸入范圍，因而使得這些器件非常適合于單電源或分離電源配置中的高阻抗、低電平信號調(diào)節(jié)應(yīng)用。
器件輸入和輸出專為承受－100mA 的浪涌電流而設(shè)計，而不會發(fā)生持續(xù)閉鎖的現(xiàn)象。 此外，依據(jù) MIL-PRF-38535、Method 3015.2 所進(jìn)行的測試還證實：該器件的內(nèi)部 ESD 保護電路可防止在高達(dá) 2000V 的電壓條件下出現(xiàn)功能故障；不過，在使用這些器件時應(yīng)謹(jǐn)慎從事，因為遭受 ESD 有可能導(dǎo)致參數(shù)性能的下降。
TLC2201 針對完整軍用溫度范圍內(nèi) （－40℃ 至 125℃ ）的運作進(jìn)行了特性分析。
