航天級低噪聲精密高級 LinCMOS? 單路運算放大器
| Number of channels (#) | 1 |
| Total supply voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) | 16 |
| Total supply voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) | 4.6 |
| Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV) | 0.2 |
| GBW (Typ) (MHz) | 1.8 |
| Slew rate (Typ) (V/us) | 2.5 |
| Rail-to-rail | In to V-, Out |
| Offset drift (Typ) (uV/C) | 0.5 |
| Iq per channel (Typ) (mA) | 1 |
| Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz) | 8 |
| CMRR (Typ) (dB) | 110 |
| Rating | Space |
| Operating temperature range (C) | -55 to 125 |
| Input bias current (Max) (pA) | 60 |
| Output current (Typ) (mA) | 4.5 |
| Architecture | CMOS |
- 符合 QML-V 標準要求的 SMD5962-9088203V2A
- 低輸入失調電壓： 400μV （最大值）
- 在整個溫度范圍內提供了出色的失調電壓穩定性： 0.05μV/℃ （典型值）
- 軌至軌輸出擺幅
- 低輸入偏置電流： 在 TA = 25℃ 時的典型值為 1pA
- 共模輸入電壓范圍包括負電源軌
- 技術規格針對單電源及分離電源操作全面擬訂
LinCMOS is a trademark of Texas Instruments.
TLC2201 是一款精密、低噪聲運算放大器，運用了 TI 先進的 LinCMOS 制造工藝。 該器件將極低噪聲 JFET 放大器的噪聲性能與以往僅雙極型放大器可提供的直流 (dc) 精度完美地組合在了一起。 Advanced LinCMOS工藝采用硅柵技術來獲得遠遠超過采用金屬柵技術所能獲得的隨溫度和時間變化的輸入失調電壓穩定性。 此外，這項工藝技術還可實現達到或超過頂柵 JFET 和昂貴的介質隔離器件所提供的輸入阻抗位準 (impedance level)。
由于兼具卓越的直流和噪聲性能以及一個包括負電源軌的共模輸入范圍，因而使得這些器件非常適合于單電源或分離電源配置中的高阻抗、低電平信號調節應用。
器件輸入和輸出專為承受－100mA 的浪涌電流而設計，而不會發生持續閉鎖的現象。 此外，依據 MIL-PRF-38535、Method 3015.2 所進行的測試還證實：該器件的內部 ESD 保護電路可防止在高達 2000V 的電壓條件下出現功能故障；不過，在使用這些器件時應謹慎從事，因為遭受 ESD 有可能導致參數性能的下降。
TLC2201 針對完整軍用溫度范圍內 （－40℃ 至 125℃ ）的運作進行了特性分析。
