| Sample rate (Max) (MSPS) | 100 |
| Resolution (Bits) | 14, 16, 18 |
| Number of input channels | 4 |
| Interface type | Parallel LVDS |
| Analog input BW (MHz) | 70 |
| Features | High Performance |
| Rating | Catalog |
| Input range (Vp-p) | 4 |
| Power consumption (Typ) (mW) | 1350 |
| Architecture | Pipeline |
| SNR (dB) | 85.5 |
| ENOB (Bits) | 12.8 |
| SFDR (dB) | 81 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 85 |
| Input buffer | No |
- 最大采樣率：100MSPS
- 可編程器件分辨率
- 四通道，16 位，高 SNR 模式
- 四通道，14 位，低功耗模式
- 16 位高 SNR 模式
- 100MSPS 時總體功耗為 1.4W
- 每通道 355mW
- 4 Vpp 滿量程輸入
- f輸入= 3MHz，100MSPS 時，85dBFS SNR
- 100MSPS 時總體功耗為 1.4W
- 14 位低功耗模式
- 100MSPS 下總體功耗 785mW
- 每通道 195mW
- 2 Vpp 滿量程輸入
- f輸入= 10MHz，74dBFS SNR
- 集成鉗位（用于與電荷耦合元件 (CCD) 傳感器對接）
- 100MSPS 下總體功耗 785mW
- 低頻噪聲抑制
- 數(shù)字處理塊
- 可編程 FIR 抽取濾波器
- 可編程數(shù)字增益：0dB 至 12dB
- 平均 2 或 4 通道
- ADC 輸入通道與低壓差分信令 (LVDS) 輸出引腳間的可編程映射 - 簡化了電路板設(shè)計
- 多種測試模式以驗證現(xiàn)場可編程柵極陣列 (FPGA) /接收器的數(shù)據(jù)捕捉
- 已串化 LVDS 輸出
- 內(nèi)部和外部基準
- 3.3V 模擬電源
- 1.8V 數(shù)字電源
- 在 1 個時鐘周期內(nèi)從 6dB 過載內(nèi)恢復
- 封裝：
- 9mm × 9mm 64 引腳四方扁平無引線 (QFN)
- 針對磁共振成像 (MRI) 系統(tǒng)的非磁性封裝選項
- CMOS 技術(shù)
應用
- 醫(yī)療成像 - MRI
- 光譜分析
- CCD 成像
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通過使用 CMOS 工藝技術(shù)和創(chuàng)新型電路技術(shù)，ADS5263 被設(shè)計用來在低功耗下運行，并且在 4 Vpp 滿量程輸入時提供極高的 SNR 性能。通過使用一個低噪聲 16 位模擬前端級，之后是一個 14 位 ADC，此器件提供高達 10MHz 的 85dBFS SNR，以及高達 30MHz，優(yōu)于 80dBFS 的 SNR。
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ADS5263 具有 14 位低功耗模式，其在此模式下作為一個四通道 14 位 ADC 運行。16 位前端級被斷電，與 16 位模式相比，此部件的能耗大約為一半。14 位模式支持一個 2 Vpp 滿量程輸入信號，此時 SNR 典型值為 74dBFS。ADS5263 可在兩個分辨率模式間自動切換。這使得系統(tǒng)能夠使用高分辨率、高功耗模式或者一個低分辨率、低功耗模式中的同一部件。
該器件還配有一個數(shù)字處理模塊，其中集成數(shù)字增益（最高可達 12dB）等多種常用數(shù)字功能。它包括一個數(shù)字濾波器模塊，此模塊具有內(nèi)置的抽取濾波器（具有低通、高通和帶通特點）。此抽取率也是可編程的（2 倍，4 倍或 8 倍）。這使得該器件非常適用于窄帶 應用，因為濾波器可為此類應用提高 SNR 并濾除諧波，同時降低輸出數(shù)據(jù)速率。
此器件包括一個平均模式，在此模式中，可將兩個通道（或四個通道）平均來改進 SNR。一個非常獨特的特性是可以實現(xiàn)輸入通道和 LVDS 輸出引腳間靈活映射的可編程映射器模塊。這有助于大大減少 LVDS 輸出路徑選擇的復雜程度，并且有可能通過減少印刷電路板 (PCB) 的層數(shù)來獲得更加廉價的系統(tǒng)電路板。該器件在 -40°C 至 85°C 的工業(yè)級溫度范圍內(nèi)運行。
