| Number of channels (#) | 1 |
| Isolation rating (Vrms) | 5700 |
| Power switch | IGBT |
| Peak output current (A) | 5 |
| DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) | 8000 |
| DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) | 2121 |
| Output VCC/VDD (Max) (V) | 30 |
| Output VCC/VDD (Min) (V) | 15 |
| Input VCC (Min) (V) | 3 |
| Input VCC (Max) (V) | 5.5 |
| Prop delay (ns) | 76 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| Undervoltage lockout (Typ) | 12 |
- 在 VCM = 1500V 時(shí)，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 的最小值為 100kV/μs
- 2.5A 峰值拉電流和 5A 峰值灌電流
- 短暫傳播延遲：76ns（典型值），
110ns（最大值） - 2A 有源米勒鉗位
- 輸出短路鉗位
- 在檢測(cè)到去飽和故障時(shí)通過(guò) FLT 發(fā)出故障報(bào)警并通過(guò) RST 復(fù)位
- 具有就緒 (RDY) 引腳指示的輸入和輸出欠壓鎖定 (UVLO)
- 有源輸出下拉特性，在低電源或輸入懸空的情況下默認(rèn)輸出低電平
- 3V 至 5.5V 輸入電源電壓
- 15V 至 30V 輸出驅(qū)動(dòng)器電源電壓
- 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 兼容輸入
- 抑制短于 20ns 的輸入脈沖和瞬態(tài)噪聲
- 工作環(huán)境溫度范圍：-40°C 至 +125°C
- 可承受的浪涌隔離電壓達(dá) 12800VPK”
- 安全相關(guān)認(rèn)證：
- 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 標(biāo)準(zhǔn)的 8000 VPK VIOTM 和 2121 VPK VIORM 增強(qiáng)型隔離
- 符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)且長(zhǎng)達(dá) 1 分鐘的 5700 VRMS 隔離
- CSA 組件驗(yàn)收通知 5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 終端設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)
- 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 標(biāo)準(zhǔn)的 TUV 認(rèn)證
- GB4943.1-2011 CQC 認(rèn)證
ISO5851 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增強(qiáng)型隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 2.5A 的拉電流能力和 5A 的灌電流能力。輸入端由 3V 至 5.5V 的單電源供電運(yùn)行。輸出側(cè)支持的電源電壓范圍為 15V 至 30V。兩路互補(bǔ) CMOS 輸入控制柵極驅(qū)動(dòng)器輸出狀態(tài)。76ns 的短暫傳播時(shí)間保證了對(duì)于輸出級(jí)的精確控制。
內(nèi)置的去飽和 (DESAT) 故障檢測(cè)功能可識(shí)別 IGBT 何時(shí)處于過(guò)載狀態(tài)。當(dāng)檢測(cè)到 DESAT 時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)器輸出會(huì)被拉低為 VEE2 電勢(shì)，從而將 IGBT 立即關(guān)斷。
當(dāng)發(fā)生去飽和故障時(shí)，器件會(huì)通過(guò)隔離隔柵發(fā)送故障信號(hào)，以將輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。FLT 的輸出狀態(tài)將被鎖存，可通過(guò) RST 輸入上的低電平有效脈沖復(fù)位。
如果在由雙極輸出電源供電的正常運(yùn)行期間關(guān)斷 IGBT，輸出電壓會(huì)被硬鉗位為 VEE2。如果輸出電源為單極，那么可采用有源米勒鉗位，這種鉗位會(huì)在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流，從而防止 IGBT 在高電壓瞬態(tài)條件下發(fā)生動(dòng)態(tài)導(dǎo)通。
當(dāng)發(fā)生去飽和故障時(shí)，器件會(huì)通過(guò)隔離隔柵發(fā)送故障信號(hào)，以將輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。FLT 的輸出狀態(tài)將被鎖存，可通過(guò) RST 輸入上的低電平有效脈沖復(fù)位。
如果在由雙極輸出電源供電的正常運(yùn)行期間關(guān)斷 IGBT，輸出電壓會(huì)被硬鉗位為 VEE2。如果輸出電源為單極，那么可采用有源米勒鉗位，這種鉗位會(huì)在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流，從而防止 IGBT 在高電壓瞬態(tài)條件下發(fā)生動(dòng)態(tài)導(dǎo)通。
柵極驅(qū)動(dòng)器是否準(zhǔn)備就緒待運(yùn)行由兩個(gè)欠壓鎖定電路控制，這兩個(gè)電路會(huì)監(jiān)視輸入端和輸出端的電源。如果任意一端電源不足，RDY 輸出會(huì)變?yōu)榈碗娖剑环駝t，該輸出為高電平。
ISO5851 采用 16 引腳小外形尺寸集成電路 (SOIC) 封裝。此器件的額定工作環(huán)境溫度范圍為 -40°C 至 +125°C。
