| DDR memory type | DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4 |
| Control mode | Current Mode |
| Iout VDDQ (Max) (A) | 4 |
| Iout VTT (Max) (A) | 1 |
| Iq (Typ) (mA) | 0.65 |
| Output | VDDQ, VREF, VTT |
| Vin (Min) (V) | 2.95 |
| Vin (Max) (V) | 6 |
| Features | Complete Solution, Power Good, Shutdown Pin for S3 |
| Rating | Automotive |
- 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列結(jié)果：
- 器件溫度 1 級(jí)：-40℃ 至 +125℃ 的環(huán)境運(yùn)行溫度范圍
- 器件人體模型 (HBM) 靜電放電 (ESD) 分類等級(jí) 2
- 器件組件充電模式 (CDM) ESD 分類等級(jí) C6
- 單片 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲(chǔ)器電源解決方案
- 4A 同步降壓轉(zhuǎn)換器
- 集成了 33mΩ 高側(cè)和 25mΩ 低側(cè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)
- 固定頻率電流模式控制
- 可調(diào)頻率范圍：100kHz 至 2.5MHz
- 與一個(gè)外部時(shí)鐘同步
- 整個(gè)溫度范圍內(nèi)的電壓基準(zhǔn)為 0.6V ± 1%
- 可調(diào)逐周期峰值電流限制
- 針對(duì)預(yù)偏置輸出的單調(diào)性啟動(dòng)
- 直流精度為 ±20mV 的 1A 拉/灌電流終端低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器
- 與 2 × 10μF 多層陶瓷電容 (MLCC) 電容一起工作時(shí)保持穩(wěn)定
- 10mA 拉/灌電流緩沖參考輸出穩(wěn)定在 VDDQ 的 49% 至 51% 之間
- 獨(dú)立使能引腳，欠壓閉鎖 (UVLO) 和遲滯均可調(diào)
- 熱關(guān)斷
- 運(yùn)行溫度 (TJ) 范圍：-40°C 至 150°C
- 24 引腳 4mm x 4mm 超薄四方扁平無引線 (WSON) 封裝
應(yīng)用
- 嵌入式計(jì)算系統(tǒng)中的 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 存儲(chǔ)器電源
- SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135、SSTL_12 和 HSTL 終端
- 信息娛樂和儀表板
- 先進(jìn)的駕駛員輔助系統(tǒng) (ADAS)
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TPS54116-Q1 器件是一款功能全面的 6V、4A 同步降壓轉(zhuǎn)換器，其配有兩個(gè)集成型 MOSFET 以及帶 VTTREF 緩沖參考輸出的 1A 拉/灌電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) VTT 終端穩(wěn)壓器。
TPS54116-Q1 降壓穩(wěn)壓器通過集成 MOSFET 和減小電感尺寸來最大限度減小解決方案尺寸，開關(guān)頻率最高達(dá) 2.5MHz。開關(guān)頻率可設(shè)置在中波頻段以上以滿足噪聲敏感型 應(yīng)用 的需求，而且能夠與外部時(shí)鐘同步。同步整流使頻率在整個(gè)輸出負(fù)載范圍內(nèi)保持為固定值。效率通過集成 25m? 低側(cè) MOSFET 和 33mΩ 高側(cè) MOSFET 得到了最大限度的提升。逐周期峰值電流限制在過流狀態(tài)下保護(hù)器件，并且可通過 ILIM 引腳上的電阻進(jìn)行調(diào)整，從而針對(duì)小尺寸電感進(jìn)行優(yōu)化。
VTT 終端穩(wěn)壓器僅利用 2 × 10μF 的陶瓷輸出電容即可保持快速瞬態(tài)響應(yīng)，從而減少外部組件數(shù)量。TPS54116-Q1 使用 VTT 進(jìn)行遠(yuǎn)程感測(cè)，從而實(shí)現(xiàn)最佳的穩(wěn)壓效果。
該器件可利用使能引腳進(jìn)入關(guān)斷模式，從而使電源電流降至 1μA。欠壓閉鎖閾值可通過任一使能引腳上的電阻網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行設(shè)置。VTT 和 VTTREF 輸出被 ENLDO 禁用時(shí)會(huì)進(jìn)行放電。
該器件具備全集成特性，并且采用小尺寸的 4mm × 4mm 耐熱增強(qiáng)型 WQFN 封裝，最大限度地減小了 IC 尺寸。
