適用于 DDR 內存終端的低輸入電壓、6A 同步降壓 SWIFT? 轉換器
| DDR memory type | DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3 |
| Control mode | D-CAP+, S3, S4/S5 |
| Iout VTT (Max) (A) | 6 |
| Iq (Typ) (mA) | 0.32 |
| Output | VTT |
| Vin (Min) (V) | 1 |
| Vin (Max) (V) | 6 |
| Features | Complete Solution |
| Rating | Catalog |
- 采用 TI 專有的集成金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 和封裝技術
- 支持 DDR 內存終止，具有高達 6A 的持續輸出源電流或者吸收電流
- 外部跟蹤
- 最少的外部組件數
- 1V 至 6V 轉換電壓
- D-CAP+ 模式架構
- 支持所有多層片式陶瓷輸出電容器和 SP/POSCAP
- 可選跳躍 (SKIP) 模式或者強制 CCM
- 輕量級負載與重負載下的優化效率
- 可選 600kHz 或者1MHz 開關頻率
- 可選過流限制 (OCL)
- 過壓、過熱和斷續欠壓保護
- 可調輸出電壓范圍為 0.6V 至 2V
- 3.5mm × 4mm 20 引腳超薄四方扁平無引線 (VQFN) 封裝
應用
- 用于 DDR、DDR2、DDR3 和 DDR4 的存儲器終端穩壓器
- VTT 終止
- 用于 1V 至 6V 輸入電源軌的低電壓應用
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TPS53317 器件是一款設計為主要用于 DDR 終端的集成場效應晶體管 (FET) 同步降壓穩壓器。 它能夠提供一個值為 ? VDDQ的經穩壓輸出，此輸出具有吸收電流和源電流功能。 TPS53317 器件采用 D-CAP+ 運行模式，簡單易用，所需外部組件數較少并可提供快速瞬態響應。 該器件還可用于其他電流要求高達 6A 的負載點 (POL) 穩壓應用。此外，該器件支持具有嚴格電壓調節功能的 6A 完整灌電流輸出。
該器件具有兩種開關頻率設定值（600kHz 和 1MHz），可提供集成壓降支持、外部跟蹤功能、預偏置啟動、輸出軟放電、集成自舉開關、電源正常功能、V5IN 引腳欠壓鎖定 (UVLO) 保護功能，支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 電容。 該器件支持的輸入電壓最高可達 6V，而輸出電壓在 0.6V 至 2.0V 范圍內可調。
TPS53317 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引腳超薄四方扁平無引線 (VQFN) 封裝（綠色環保，符合 RoHS 標準并且無鉛），其中應用了 TI 專有的集成 MOSFET 和封裝技術，其額定運行溫度范圍為 –40°C 至 85°C。
