具有用于 DDR2/3/3L/4 的 VTTREF 緩沖基準的 2A 峰值灌電流/拉電流 DDR 終端穩壓器
| DDR memory type | DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3 |
| Iout VTT (Max) (A) | 2 |
| Iq (Typ) (mA) | 0.17 |
| Output | VREF, VTT |
| Vin (Min) (V) | 1 |
| Vin (Max) (V) | 3.5 |
| Features | S3/S5 Support |
| Rating | Catalog |
- 電源輸入電壓：支持 3.3V 和 5V 電源軌
- VLDOIN 輸入電壓范圍：VTT+0.4V 至 3.5V
- VTT 端接穩壓器
- 輸出電壓范圍：0.5V 至 0.9V
- 2A 峰值灌電流和拉電流
- 僅需 10μF 的多層陶瓷電容 (MLCC) 輸出電容
- ±20mV 精度
- VTTREF 緩沖參考輸出
- VDDQ/2 ± 1% 精度
- 10mA 灌/拉電流
- 支持高阻態（S3 狀態）和軟停止（S4 和 S5 狀態），通過 S3 和 S5 輸入選擇
- 過熱保護
- 10 引腳 2mm × 2mm 小外形尺寸無引線 (SON) (DSQ) 封裝
TPS51206 器件是具有 VTTREF 緩沖基準輸出的灌電流/拉電流雙倍數據速率 (DDR) 終端穩壓器。該器件專門針對低輸入電壓、低成本、低外部組件數的空間受限型系統而設計。該器件可保持快速的瞬態響應，并且僅需 1 個 10μF 的陶瓷輸出電容。該器件支持遙感功能，并且可滿足 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 總線的所有電源要求。VTT 具有 ±2A 峰值電流能力。該器件支持所有 DDR 電源狀態，在 S3 狀態下將 VTT 置于高阻態（掛起到 RAM）；在 S4/S5 狀態下使 VTT 和 VTTREF 放電（掛起到磁盤）。
TPS51206 器件采用 10 引腳 2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD?封裝，額定工作溫度范圍為 –40°C 至 105°C。
