全套 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 電源解決方案同步降壓控制器、3A LDO
| DDR memory type | DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3 |
| Control mode | Current Mode, D-CAP |
| Iout VDDQ (Max) (A) | 25 |
| Iout VTT (Max) (A) | 3 |
| Iq (Typ) (mA) | 0.8 |
| Output | VDDQ, VREF, VTT |
| Vin (Min) (V) | 3 |
| Vin (Max) (V) | 28 |
| Features | Complete Solution, Shutdown Pin for S3 |
| Rating | Catalog |
- 同步降壓控制器 (VDDQ)
- 寬輸入電壓范圍: 3.0V 至 28V
- 負載階躍響應為 100ns 的 D?CAP? 模式
- 電流模式選項支持陶瓷輸出電容器
- 支持 S4/S5 狀態內的軟關閉
- 利用RDS(on) 或電阻器進行電流檢測
- 2.5V (DDR)、1.8V (DDR2)，可調節至
1.5V (DDR3)、1.35V (DDR3L)、1.2V（LPDDR3 和 DDR4）或
輸出范圍 0.75V 至 3.0V - 配備有電源正常、過壓保護和欠壓保護
- 3A LDO (VTT)，經緩沖基準 (VREF)
- 拉電流和灌電流的能力達到 3A
- 提供 LDO 輸入以優化功率損耗
- 只需 20μF 陶瓷輸出電容器
- 經緩沖的低噪聲 10mA VREF 輸出
- 針對 VREF 和 VTT 的 ±20mV 精度
- 在 S3 中支持高阻抗 (high-Z)，在 S4/S5 中支持軟關閉
- 熱關斷
TPS51116 提供一個用于 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內存系統的完整電源。它集成了一個具有 3A 拉電流/灌電流跟蹤線性穩壓器和經緩沖的低噪聲基準的同步降壓控制器。該器件在空間受限的系統中提供最低的總解決方案成本。同步控制器運行具有自適應接通時間控制的定頻 400kHz、偽恒定頻率脈寬調制 (PWM)，此控制可在 D-CAP 中配置?易于使用和最快瞬態響應或者電流模式以支持陶瓷輸出電容器。3A 拉電流/灌電流 LDO 只需 20μF (2 × 10μF) 陶瓷輸出電容器即可保持快速瞬態響應。此外，LDO 電源輸入是外部可用的，這樣可大大減少總體功耗。該器件支持所有睡眠狀態控制，此類控制在 S3（掛起到 RAM）中將 VTT 置于 high-Z 狀態并且在 S4/S5（掛起到硬盤）中將 VDDQ、VTT 和 VTTREF（軟關閉）放電。該器件還具有全部保護 特性， 包括熱關斷保護，并且提供 20 引腳 HTSSOP PowerPAD?封裝和 24 引腳 4 × 4 QFN 封裝。
