--- 產品詳情 ---
Number of channels (#) | 1 |
Power switch | MOSFET, IGBT, GaNFET |
Peak output current (A) | 4 |
Input VCC (Min) (V) | 4.5 |
Input VCC (Max) (V) | 18 |
Features | Enable Pin |
Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
Rise time (ns) | 8 |
Fall time (ns) | 7 |
Prop delay (ns) | 17 |
Input threshold | CMOS |
Channel input logic | Non-Inverting |
Input negative voltage (V) | -5 |
Rating | Automotive |
Undervoltage lockout (Typ) | 4 |
Driver configuration | Non-Inverting |
- 符合汽車應用要求
- 具有符合 AEC-Q100 的下列結果:
- 符合器件汽車 1 級
- 器件人體模型 (HBM) 靜電放電 (ESD) 分類等級 H2
- 器件充電器件模型 (CDM) ESD 分類等級 C6
- 低成本柵極驅動器器件提供 NPN 和 PNP 離散解決方案的高品質替代產品
- 與 TI 的 TPS2828 和 TPS2928 引腳兼容
- 4A 峰值拉電流和 4A 峰值灌電流對稱驅動
- 快速傳播延遲(典型值 17ns)
- 快速上升和下降時間(典型值 8ns 和 7ns)
- 4.5V 至 18V 單一電源范圍
- 在 VDD 欠壓閉鎖 (UVLO) 期間,輸出保持低電平(以保證加電和斷電時的無毛刺脈沖運行)
- CMOS 輸入邏輯閥值(帶有滯后功能的電源電壓)
- 用于高抗噪性的滯后邏輯閥值
- 針對使能功能的使能 (EN) 引腳(可不連接)
- 當輸入引腳懸空時輸出保持在低電平
- 輸入引腳絕對最大電壓電平不受 VDD 引腳偏置電源電壓的限制
- -40°C 至 140°C 的運行溫度范圍
- 5 引腳 DBV 封裝(小外形尺寸晶體管封裝 (SOT)-23)
應用范圍
- 車載應用
- 開關模式電源
- 直流到直流轉換器
- 用于數字電源控制器的伴隨柵極驅動器器件
- 太陽能、電機控制、不間斷電源 (UPS)
- 用于新上市的寬帶隙電源器件(例如 GaN)的柵極驅動器
UCC27518A-Q1 和 UCC27519A-Q1 單通道高速低側柵極驅動器器件有效地驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 開關。 借助于固有的大大減少擊穿電流的設計,UCC27518A-Q1 和 UCC27519A-Q1 能夠灌、拉高峰值電流脈沖進入到電容負載,此電容負載提供了軌到軌驅動能力以及極小傳播延遲(典型值為 17ns)。
UCC27518A-Q1 和 UCC27519A-Q1 在 VDD = 12V 時提供 4A 拉電流和 4A 灌電流(對稱驅動)峰值驅動電流功能。
UCC27518A-Q1 和 UCC27519A-Q1 在 4.5V 至 18V 的寬 VDD 范圍以及 -40°C 到 140°C 的寬溫度范圍內運行。 VDD 引腳上的內部欠壓閉鎖 (UVLO) 電路保持 VDD 運行范圍之外的輸出低電平。 能夠運行在諸如低于 5V 的低電壓電平上,連同同類產品中最佳的開關特性,使得此器件非常適合于驅動諸如 GaN 功率半導體器件等新上市的寬帶隙電源開關器件。 UCC27519A-Q1 可按需提供(只用于預覽)。
UCC27518A-Q1 和 UCC27519A-Q1 的輸入引腳閥值基于 CMOS 邏輯電路,此邏輯電路的閥值電壓是 VDD 電源電壓的函數。 通常情況下,輸入高閥值 (VIN-H) 是 VDD 的 55%,而輸入低閥值 (VIN-L) 是 VDD 的 39%。 高閥值和低閥值之間的寬滯后(通常為 VDD 的 16%)提供了出色的抗擾性并使用戶能夠通過在輸入脈寬調制 (PWM) 信號和器件的 INx 引腳間使用 RC 電路來引入延遲。
UCC27518A-Q1 和 UCC27519A-Q1 在 EN 引腳上還特有一個可懸空使能功能。 EN 引腳可以保持在一個不連接的狀態,這樣可以分別實現 UCC27518A-Q1,UCC27519A-Q1 和 TPS2828,TPS2829 器件間的引腳兼容性。 使能引腳閥值是一個固定電壓閥值并且不會隨著 VDD偏置電壓的改變而變化。 通常情況下,使能高閥值 (VEN-H) 為 2.1V,而使能低閥值 (VEN-L) 是 1.25V。
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