| Number of channels (#) | 1 |
| Power switch | MOSFET, IGBT, GaNFET |
| Peak output current (A) | 4 |
| Input VCC (Min) (V) | 4.5 |
| Input VCC (Max) (V) | 18 |
| Features | Enable Pin |
| Operating temperature range (C) | -40 to 140 |
| Rise time (ns) | 8 |
| Fall time (ns) | 7 |
| Prop delay (ns) | 17 |
| Input threshold | CMOS |
| Channel input logic | Inverting |
| Input negative voltage (V) | 0 |
| Rating | Catalog |
| Undervoltage lockout (Typ) | 4 |
| Driver configuration | Inverting |
- 低成本柵極驅(qū)動器，是 NPN 和 PNP 分立解決方案的優(yōu)質(zhì)替代產(chǎn)品
- 與 TI 的 TPS2828 和 TPS2829 器件引腳兼容
- 4A 峰值拉電流和 4A 峰值灌電流對稱驅(qū)動
- 快速傳播延遲（典型值 17ns）
- 快速上升和下降時間（典型值 8ns 和 7ns）
- 4.5V 至 18V 單電源范圍
- VDD 欠壓閉鎖 (UVLO) 期間輸出保持低電平（確保加電和斷電時無毛刺脈沖運(yùn)行）
- CMOS 輸入邏輯閾值（帶滯后的電源電壓的函數(shù)）
- 實現(xiàn)高抗噪性的滯后邏輯閾值
- 實現(xiàn)使能功能的 EN 引腳（可不連接）
- 當(dāng)輸入引腳懸空時輸出保持在低電平
- 輸入引腳絕對最大電壓電平不受 VDD 引腳偏置電源電壓的限制
- -40°C 至 140°C 的運(yùn)行溫度范圍
- 5 引腳 DBV 封裝（小外形尺寸晶體管封裝 (SOT)-23）
應(yīng)用
- 開關(guān)模式電源
- 直流-直流轉(zhuǎn)換器
- 用于數(shù)字電源控制器的伴隨柵極驅(qū)動器器件
- 太陽能、電機(jī)控制、不間斷電源 (UPS)
- 用于新上市的寬帶隙電源器件（例如 GaN）的柵極驅(qū)動器
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UCC27518 和 UCC27519 單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動器器件可有效驅(qū)動金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 電源開關(guān)。 UCC27518 和 UCC27519 采用的設(shè)計方案可最大程度減少擊穿電流，從而為電容負(fù)載提供較高的峰值拉/灌電流脈沖，同時提供軌到軌驅(qū)動能力以及超短的傳播延遲（典型值為 17ns）。
當(dāng) VDD = 12V 時，UCC27518 和 UCC27519 可提供峰值為 4A 的灌/拉（對稱驅(qū)動）電流驅(qū)動能力。
UCC27518 和 UCC27519 具有 4.5V 至 18V 的寬 VDD 范圍，以及 –40°C 至 140°C 的寬溫度范圍。 當(dāng)超出 VDD 工作范圍時，VDD 引腳上的內(nèi)部欠壓閉鎖 (UVLO) 電路可使輸出保持低電平。 該器件不僅能夠工作在低于 5V 的低電壓下，還具備同類產(chǎn)品中最佳的開關(guān)特性，因此非常適用于驅(qū)動諸如 GaN 功率半導(dǎo)體器件等新上市的寬帶隙電源開關(guān)器件。
UCC27518 和 UCC27519 的輸入引腳閾值基于 CMOS 邏輯電路，其中閾值電壓是 VDD 電源電壓的函數(shù)。 輸入閾值上限典型值 (VIN-H) 是 VDD的 55%，而輸入閾值下限典型值 (VIN-L) 是 VDD 的 39%。 閾值上下限之間的寬滯后（通常為 VDD的 16%）提供了出色的抗噪性，并且使用戶能夠通過在輸入脈寬調(diào)制 (PWM) 信號與器件的 INx 引腳之間使用 RC 電路來引入延遲。
UCC27518 和 UCC27519 的 EN 引腳上還特有一個可懸空的使能功能。 將 EN 引腳置于未連接狀態(tài)，可分別實現(xiàn) UCC27518，UCC27519 與 TPS2828，TPS2829 之間的引腳兼容性。 EN 引腳的電壓閾值是固定的，不會隨 VDD 引腳偏置電壓變化。 使能閾值上限典型值 (VEN-H) 為 2.1V，而使能閾值下限典型值 (VEN-L) 為 1.25V。
