采用 0.6mm x 1mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、175mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | -12 |
| VGS (V) | -8 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 175 |
| Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) | 300 |
| Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) | 970 |
| Id peak (Max) (A) | -9 |
| Id max cont (A) | -2.3 |
| QG typ (nC) | 1.14 |
| QGD typ (nC) | 0.19 |
| QGS typ (nC) | 0.3 |
| VGSTH typ (V) | -0.95 |
| Package (mm) | LGA 1.0x0.6mm |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 2.3 |
| Logic level | Yes |
此 150mΩ、12V P 溝道 FemtoFET? MOSFET 經(jīng)過設計和優(yōu)化，能夠盡可能減小許多手持式和移動應用中的空間占用。這項技術能夠在替代標準小信號 MOSFET 的同時將封裝尺寸減小至少 60%。
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