采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、6.4mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | 100 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) | 6.4 |
| IDM - pulsed drain current (Max) (A) | 337 |
| QG typ (nC) | 37 |
| QGD typ (nC) | 6.6 |
| QGS typ (nC) | 10.5 |
| Package (mm) | SON5x6 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (V) | 2.7 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 110 |
| ID - package limited (A) | 100 |
| Logic level | No |
這款 100V，5.3mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被設(shè)計(jì)成在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中大大降低損耗。
頂視圖 要了解所有可用封裝，請見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。 RθJA = 40°C/W，這是在一個厚度 0.06 英寸環(huán)氧樹脂 (FR4) 印刷電路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的銅過渡墊片上測得的典型值。 最大 RθJC = 1.0°C/W，持續(xù)時間 ≤100μs，占空比 ≤1%
